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J-GLOBAL ID:200903025904393612
半導体発光装置
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
川崎 勝弘
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998054094
Publication number (International publication number):1999214754
Application date: Jan. 28, 1998
Publication date: Aug. 06, 1999
Summary:
【要約】【課題】 半導体発光素子を封止する封止樹脂材の劣化を抑制して、光度低下を防止した半導体発光装置を提供すること。【解決手段】 電気絶縁材料からなる矩形状絶縁基体1に、その底面から側面を介して表面に導出される一対のメタライズ配線層2、3を被着し、LED素子6はp側及びn側電極を形成した片面6aで導電材4、5を接合材料としてダイボンデングする。強化材として例えばアルミナ、カーボン、シリカ等のフィラを混入した非透過性封止樹脂材8にてLED素子の発光部6dを露出させて全周を封止する。
Claim (excerpt):
絶縁基体又はリードフレーム上に、p側電極及びn側電極が形成された片面側でダイボンデングされる半導体発光素子を備え、該半導体発光素子の発光部を露出させて全周を強化材を混入した非透過性封止樹脂材にて封止したことを特徴とする半導体発光装置。
FI (2):
H01L 33/00 N
, H01L 33/00 C
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (16)
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チップタイプLED及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-086873
Applicant:日亜化学工業株式会社
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特開平4-217375
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特開昭59-112668
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LED素子とその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-079909
Applicant:日亜化学工業株式会社
-
光半導体モジュール
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-048010
Applicant:日本電信電話株式会社
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特開平4-217375
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特開昭59-112668
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発光ダイオード及びそれを用いた表示装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-051566
Applicant:日亜化学工業株式会社
-
有機電界発光素子及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-042096
Applicant:三菱化学株式会社
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発光デバイス
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-263783
Applicant:日亜化学工業株式会社
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光半導体装置およびその樹脂封止方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-182473
Applicant:シヤープ株式会社
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特開平2-260546
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特開昭59-112668
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特開昭56-060482
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特開昭52-135282
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特開昭53-131000
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