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J-GLOBAL ID:200903025904393612

半導体発光装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 川崎 勝弘
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998054094
Publication number (International publication number):1999214754
Application date: Jan. 28, 1998
Publication date: Aug. 06, 1999
Summary:
【要約】【課題】 半導体発光素子を封止する封止樹脂材の劣化を抑制して、光度低下を防止した半導体発光装置を提供すること。【解決手段】 電気絶縁材料からなる矩形状絶縁基体1に、その底面から側面を介して表面に導出される一対のメタライズ配線層2、3を被着し、LED素子6はp側及びn側電極を形成した片面6aで導電材4、5を接合材料としてダイボンデングする。強化材として例えばアルミナ、カーボン、シリカ等のフィラを混入した非透過性封止樹脂材8にてLED素子の発光部6dを露出させて全周を封止する。
Claim (excerpt):
絶縁基体又はリードフレーム上に、p側電極及びn側電極が形成された片面側でダイボンデングされる半導体発光素子を備え、該半導体発光素子の発光部を露出させて全周を強化材を混入した非透過性封止樹脂材にて封止したことを特徴とする半導体発光装置。
FI (2):
H01L 33/00 N ,  H01L 33/00 C
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (16)
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