半導体装置及びその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (2)：和泉良彦 , 小林茂
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005012333
Publication number (International publication number)：2006202938
Application date： Jan. 20, 2005
Publication date： Aug. 03, 2006
Summary：

【課題】半導体素子を金属基板に良好に接合できる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】対向する少なくとも一方の主面に、第一の金属からなる第一の金属層11を有する半導体素子1と、半導体素子1を面実装する第二の金属からなる金属基板2とを、平均直径が100nm以下の第三の金属からなる超微粒子を有機系の溶媒中に分散させてなる金属ナノペースト3を用いて接合する半導体装置の製造方法において、前記第一、第二および第三の金属が、金、銀、白金、銅、ニッケル、クロム、鉄、鉛、コバルトのうちのいずれかの金属、またはこれらの金属のうちの少なくとも一種を含む合金、またはこれら金属もしくは合金の混合物からなり、加熱、加圧、あるいはそれらの組合せにより前記溶媒を揮発させることによって、前記超微粒子が凝集することで形成される接合層4を介在させて、第一の金属層11と金属基板2とを接合する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

二つの対向する主面のうち少なくとも一方の主面に、第一の金属からなる第一の金属層を有する面実装タイプの半導体素子と、前記半導体素子を面実装する第二の金属からなる金属基板とを、平均直径が100nm以下の第三の金属からなる超微粒子を有機系の溶媒中に分散させてなる金属ナノペーストを用いて接合する半導体装置の製造方法において、前記第一、第二および第三の金属が、金、銀、白金、銅、ニッケル、クロム、鉄、鉛、コバルトのうちのいずれかの金属、またはこれらの金属のうちの少なくとも一種を含む合金、またはこれら金属もしくは合金の混合物からなり、加熱、加圧、あるいはそれらの組合せにより前記溶媒を揮発させることによって、前記超微粒子が凝集することで形成される接合層を介在させて、前記第一の金属層と前記金属基板とを接合することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 23/40 , H01L 21/28

FI (2)：

H01L23/40 F , H01L21/28 301R

F-Term (13)：

4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104BB14 , 4M104BB36 , 4M104FF02 , 4M104FF13 , 5F036AA01 , 5F036BB08 , 5F036BC05

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

電極配設基体及びその電極接合方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-292868 Applicant：株式会社荏原製作所

Cited by examiner (6)

回路装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-022646 Applicant：三洋電機株式会社
接合材料及び接合方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-272364 Applicant：株式会社荏原製作所
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-169499 Applicant：富士通株式会社

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