Pat
J-GLOBAL ID:200903026145122524
蛍光変換発光ダイオード
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
中村 稔 (外9名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002102831
Publication number (International publication number):2003034791
Application date: Apr. 04, 2002
Publication date: Feb. 07, 2003
Summary:
【要約】【課題】 本発明は、従来の発光ダイオードの欠点を克服する発光ダイオード・ベースの発光デバイスに関するものである。【解決手段】 一次光を放射する発光ダイオードを準備し、一次光の少なくとも一部を吸収し、該一次光よりも長い波長を有する二次光を放射することができる(Srl-u-v-xMguCavBax)(Ga2-y-zAlyInzS4):Eu2+蛍光物質を発光ダイオードに隣接して配置することを含む発光デバイスを製造する方法。蛍光物質の組成は、二次光の波長を決めるために選択ができる。一つの実施形態において発光デバイスは、発光ダイオードの周囲に配置される別の物質に蛍光粒子として分散される蛍光物質を含む。別の実施形態において発光デバイスは、発光ダイオードの少なくとも1つの表面に蛍光フィルムとして付着される蛍光物質を含む。
Claim (excerpt):
一次光を放射する発光ダイオード、及び前記発光ダイオード表面の少なくとも一部に重り、前記一次光の少なくとも一部を吸収し、前記一次光の波長より長い波長を有する二次光を放射することができる(Srl-u-v-xMguCavBax)(Ga2-y-zAlyInzS4):Eu2+の蛍光物質、を含み、ここで、0≦u≦1、0≦v≦1、0≦x≦1、0≦(u+v+x)≦1、0≦y≦2、0≦z≦2、0≦y+z≦2であることを特徴とする発光デバイス。
IPC (6):
C09K 11/64 CPC
, C08K 3/02
, C08L101/00
, C09K 11/62 CQF
, H01L 33/00
, H01S 5/02
FI (7):
C09K 11/64 CPC
, C08K 3/02
, C08L101/00
, C09K 11/62 CQF
, H01L 33/00 C
, H01L 33/00 N
, H01S 5/02
F-Term (45):
4H001CA02
, 4H001XA07
, 4H001XA12
, 4H001XA13
, 4H001XA16
, 4H001XA20
, 4H001XA31
, 4H001XA38
, 4H001XA49
, 4H001XA56
, 4H001YA63
, 4J002BG001
, 4J002CD001
, 4J002CG001
, 4J002CP031
, 4J002DC00
, 4J002FB076
, 4J002FD206
, 4J002GQ00
, 5F041AA10
, 5F041AA11
, 5F041AA41
, 5F041CA33
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA77
, 5F041CB36
, 5F041DA04
, 5F041DA09
, 5F041DA20
, 5F041DA44
, 5F041DA45
, 5F041FF01
, 5F073AA73
, 5F073AA89
, 5F073AB17
, 5F073BA09
, 5F073CA02
, 5F073CA11
, 5F073CB04
, 5F073CB05
, 5F073DA35
, 5F073EA04
, 5F073EA29
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
-
発光ダイオード及びその形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-201310
Applicant:日亜化学工業株式会社
-
半導体発光装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-198925
Applicant:サンケン電気株式会社
-
半導体発光素子、半導体発光装置およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-273418
Applicant:株式会社東芝
-
蛍燐光体変換-エレメント付き半導体発光素子
Gazette classification:公表公報
Application number:特願平10-502117
Applicant:シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
-
発光ダイオードランプとその製造方法、チップ型発光ダイオード素子及びドットマトリクス型発光ダイオードユニット
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-022522
Applicant:星和電機株式会社
-
発光装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-006990
Applicant:株式会社朝日ラバー
-
発光装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-219246
Applicant:豊田合成株式会社
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Article cited by the Patent:
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