Ga2O3系発光素子およびその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：平田忠雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003137916
Publication number (International publication number)：2004342857
Application date： May. 15, 2003
Publication date： Dec. 02, 2004
Summary：

【課題】紫外領域で発光するGa2O3系発光素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】この発光素子1は、β-Ga2O3単結晶からなるn型基板2と、このn型基板2の上面に形成されたβ-Ga2O3単結晶からなるp型導電性を示すp型層3と、このp型層3の上面に形成される透明電極4と、透明電極4の一部に形成されるボンディング電極6と、n型基板2の下面の全面に形成されるn電極5とを備える。発光素子1は、n型基板2とp型層3とを接合することとしたため、その接合部において、n型基板2内の電子とp型層3内の正孔とが互いに接合部に向い、それらが接合部付近で再結合するために、接合部付近が発光する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

Ga2O3系単結晶からなるn型導電性を示す第1の層と、前記第1の層上に形成されたGa2O3系単結晶からなるp型導電性を示す第2の層とを備えることを特徴とするGa2O3系発光素子。

IPC (1)：

H01L33/00

FI (1)：

H01L33/00 A

F-Term (10)：

5F041AA42 , 5F041CA02 , 5F041CA04 , 5F041CA46 , 5F041CA49 , 5F041CA57 , 5F041CA67 , 5F041CA85 , 5F041DA04 , 5F041DA09

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

透明酸化物p-n接合ダイオード
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-054382 Applicant：科学技術振興事業団, 太田裕道
紫外透明導電膜とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-182643 Applicant：科学技術振興事業団, 太田裕道, 折田政寛
III族窒化物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-157588 Applicant：昭和電工株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

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