窒化物半導体装置及びその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004355367
Publication number (International publication number)：2006128586
Application date： Dec. 08, 2004
Publication date： May. 18, 2006
Summary：

【課題】リーク電流を低減した窒化物半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】ガリウム、アルミニウム、ホウ素及びインジウムからなる群のうち少なくとも1つからなるIII族元素と、窒素、リン及び砒素からなる群のうちの少なくとも窒素を含むV族元素で構成されたIII-V族窒化物半導体層からなる窒化物半導体装置において、基板上に積層した前記III-V族窒化物半導体層からなる第1の窒化物半導体層と、該第1の窒化物半導体層の上に積層したアルミニウムを含まない前記III-V族窒化物半導体層からなり、不純物として鉄、炭素、亜鉛あるいはマグネシウムの少なくとも1つをドーピングした第2の窒化物半導体層と、該第2の窒化物半導体層にショットキ接触する制御電極とを備える。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

ガリウム、アルミニウム、ホウ素及びインジウムからなる群のうち少なくとも1つからなるIII族元素と、窒素、リン及び砒素からなる群のうちの少なくとも窒素を含むV族元素で構成されたIII-V族窒化物半導体層からなる窒化物半導体装置において、基板上に積層した前記III-V族窒化物半導体層からなる第1の窒化物半導体層と、該第1の窒化物半導体層の上に積層した前記III-V族窒化物半導体層からなり、かつアルミニウムを含まない、不純物として鉄、炭素、亜鉛あるいはマグネシウムの少なくとも1つを含む第2の窒化物半導体層と、前記第2の窒化物半導体層に、あるいは前記第2の窒化物半導体層の一部を除去し、露出する前記第1の窒化物半導体層に、ショットキ接触する制御電極とを備えたことを特徴とする窒化物半導体装置。

IPC (5)：

H01L 29/812 , H01L 29/778 , H01L 21/338 , H01L 29/872 , H01L 29/47

FI (2)：

H01L29/80 H , H01L29/48 D

F-Term (23)：

4M104AA04 , 4M104BB05 , 4M104BB14 , 4M104CC03 , 4M104GG12 , 5F102FA01 , 5F102FA03 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ02 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GM08 , 5F102GQ01 , 5F102GR04 , 5F102GS01 , 5F102GT03 , 5F102GV09 , 5F102HC01 , 5F102HC05

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

ヘテロ接合電界効果トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-142221 Applicant：ソニー株式会社

Cited by examiner (5)

高移動度トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-057070 Applicant：古河電気工業株式会社
電界効果トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-103002 Applicant：古河電気工業株式会社
エピタキシャルウェハおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-324870 Applicant：昭和電工株式会社

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