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J-GLOBAL ID：200903026513895539

窒化物半導体発光素子

Inventor： 長濱 慎一 ,  松下 俊雄 ,  中村 修二
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998139495
Publication number (International publication number)：1999330621
Application date： May. 21, 1998
Publication date： Nov. 30, 1999
Summary：

【要約】【目的】 高出力、長寿命なレーザを実現すると共に信頼性に優れた発光素子を提供する。【構成】 窒化物半導体からなる基板上部に、n側クラッド層を有し、そのn側クラッド層上部に、多重量子井戸構造を有する活性層を備えた窒化物半導体発光素子において、前記基板と前記n側クラッド層との間にインジウムを含む窒化物半導体層を含む中間層が、そのn側クラッド層と離間して形成されていることにより、窒化物半導体基板の劈開性が良くなり、歩留まりが向上する。

Claim (excerpt)：

窒化物半導体からなる基板上部に、n側クラッド層を有し、そのn側クラッド層上部に、多重量子井戸構造を有する活性層を備えた窒化物半導体発光素子において、前記基板と前記n側クラッド層との間にインジウムを含む窒化物半導体層を含む中間層が、そのn側クラッド層と離間して形成されていることを特徴とする窒化物半導体発光素子。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-038259   Applicant：株式会社東芝
• 半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-038157   Applicant：株式会社東芝
• III-V族窒化物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-269279   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-154708   Applicant：日亜化学工業株式会社
• n型窒化ガリウム系化合物半導体の結晶成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-227679   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 窒化物半導体の電極
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-102542   Applicant：日亜化学工業株式会社