窒化物半導体の電極

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996102542
Publication number (International publication number)：1997293898
Application date： Apr. 24, 1996
Publication date： Nov. 11, 1997
Summary：

【要約】【目的】 p型窒化物半導体と安定して好ましいオーミック接触が得られると共に、接触抵抗の低い電極を提供する。【構成】 p型窒化物半導体層表面に、少なくともパラジウム(Pd)と、窒素と反応しない金属とを含む電極が形成されていることにより、窒素と反応しない金属が窒化物半導体とも反応しないため安定したオーミック接触が得られる。

Claim (excerpt)：

p型窒化物半導体層表面に、少なくともパラジウム(Pd)と、窒素と反応しない金属とを含む電極が形成されていることを特徴とする窒化物半導体の電極。

IPC (2)：

H01L 33/00 , H01S 3/18

FI (3)：

H01L 33/00 E , H01L 33/00 C , H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

窒化物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-281170 Applicant：日亜化学工業株式会社
p伝導形3族窒化物半導体の電極及び電極形成方法及び素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-160886 Applicant：豊田合成株式会社, 株式会社豊田中央研究所
半導体発光素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-341612 Applicant：株式会社東芝

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