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J-GLOBAL ID:200903026776992202

厚膜レジストパターンの形成方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 鐘尾 宏紀 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001177561
Publication number (International publication number):2002365799
Application date: Jun. 12, 2001
Publication date: Dec. 18, 2002
Summary:
【要約】【目的】感度、残膜率の低下を招くことなく、高解像力で、裾引きなどの無い良好なパターンを形成することのできる厚膜レジストパターン形成方法およびこれに用いる厚膜レジストパターン形成用感光性樹脂組成物を提供すること。【構成】アルカリ可溶性樹脂とキノンジアジド基を含む感光剤とを含有し、かつ該アルカリ可溶性樹脂がノボラック樹脂と(i)ポリアクリル酸エステル、(ii)ポリメタクリル酸エステル、(iii)ポリスチレン誘導体、および(iv)アクリル酸エステル、メタクリル酸エステルおよびスチレン誘導体から選ばれ、二種以上のモノマーユニットからなる共重合体、から選ばれる一種または二種以上の樹脂との混合物である感光性樹脂組成物を基板に塗布し、2.0μm以上の膜厚のフォトレジスト膜を形成し、露光後現像することにより厚膜レジストパターンを形成する。感光性樹脂組成物には感度向上のため蛍光物質を添加することができる。
Claim (excerpt):
2.0μm以上の膜厚を有するフォトレジスト膜による厚膜レジストパターンの形成方法において、感光性樹脂組成物がアルカリ可溶性樹脂とキノンジアジド基を含む感光剤とを含有し、かつ該アルカリ可溶性樹脂がノボラック樹脂と(i)ポリアクリル酸エステル、(ii)ポリメタクリル酸エステル、(iii)ポリスチレン誘導体、および(iv)アクリル酸エステル、メタクリル酸エステルおよびスチレン誘導体から選ばれ、二種以上のモノマーユニットからなる共重合体、から選ばれる一種または二種以上の樹脂との混合物であることを特徴とする厚膜レジストパターン形成方法。
IPC (4):
G03F 7/032 ,  G03F 7/004 505 ,  G03F 7/022 601 ,  H01L 21/027
FI (4):
G03F 7/032 ,  G03F 7/004 505 ,  G03F 7/022 601 ,  H01L 21/30 502 R
F-Term (14):
2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AB17 ,  2H025AB20 ,  2H025AC01 ,  2H025AD03 ,  2H025BE01 ,  2H025CB14 ,  2H025CB16 ,  2H025CB29 ,  2H025CC11 ,  2H025CC20 ,  2H025FA03 ,  2H025FA17
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
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