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J-GLOBAL ID:200903026944484935

微小電気機械式装置及び半導体装置、並びにそれらの作製方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2006270280
Publication number (International publication number):2007142372
Application date: Oct. 02, 2006
Publication date: Jun. 07, 2007
Summary:
【課題】犠牲層のエッチング工程を設けることなく、MEMS、該MEMSを有するセンサーを形成することを課題とする。【解決手段】スペーサ層を用いて空間が形成されたMEMS、該MEMSを有するセンサーを形成する。スペーサ層を用いて空間が形成されたMEMSにより、犠牲層を成膜する工程及び該犠牲層をエッチングする工程を不要とすることができる。その結果、エッチング時間の制約がなく、また歩留まりを向上させることができる。【選択図】図6
Claim (excerpt):
第1のフィルム基板上に選択的に設けられた、接着性を有する第1のスペーサ層と、 前記第1のスペーサ層の上方に設けられた圧電素子を有する層と、 前記圧電素子を有する層の上方又は側方に、選択的に設けられた接着性を有する第2のスペーサ層と、 前記第2のスペーサ層上に設けられた第2のフィルム基板とを有し、 前記圧電素子を有する層は、第1の電極、圧電材料、および第2の電極を有する圧電素子を一つ又は複数有し、 前記第1のスペーサ層および前記第2のスペーサ層は、前記圧電素子と重なる開口部を形成するように選択的に配置されたことを特徴とする微小電気機械式装置。
IPC (7):
H01L 41/09 ,  H01L 41/22 ,  H01L 41/08 ,  H01L 27/01 ,  H03H 9/17 ,  H03H 9/54 ,  H03H 3/02
FI (10):
H01L41/08 C ,  H01L41/22 Z ,  H01L41/08 D ,  H01L41/08 Z ,  H01L41/08 J ,  H01L41/08 H ,  H01L27/01 311 ,  H03H9/17 F ,  H03H9/54 Z ,  H03H3/02 C
F-Term (13):
5J108AA07 ,  5J108AA09 ,  5J108BB02 ,  5J108BB07 ,  5J108BB08 ,  5J108CC11 ,  5J108EE03 ,  5J108EE04 ,  5J108EE07 ,  5J108FF05 ,  5J108KK01 ,  5J108KK07 ,  5J108MM11
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1)
  • 微小装置の製造方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平10-225896   Applicant:日産自動車株式会社
Cited by examiner (6)
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