光学素子の表面平滑化方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：林信之 , 安彦元
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008133279
Publication number (International publication number)：2009282232
Application date： May. 21, 2008
Publication date： Dec. 03, 2009
Summary：

【課題】光学素子の表面形状に依存することなく、しかも低コスト、小電力でしかも短時間で、光学素子表面に形成されたナノオーダの凹凸をエッチングして平滑化する。【解決手段】光学素子2を原料ガス雰囲気中に複数段に亘り重ねて配置し、原料ガスを構成するガス分子の吸収端波長以上の光を光学素子2に照射することにより、これを光学素子2の上段から下段へ順次透過させ、各光学素子2表面に形成された凹凸における少なくとも先鋭化部分において発生させた近接場光に基づいて原料ガスを解離させてエッチングすることを特徴とする。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

光学素子を原料ガス雰囲気中に複数段に亘り互いに間隙を設けて配置し、上記原料ガスを構成するガス分子の吸収端波長以上の光を上記光学素子に照射することにより、これを上記光学素子の上段から下段へ順次透過させ、各光学素子表面に形成された凹凸における少なくとも角部において発生させた近接場光に基づいて上記原料ガスを解離させてエッチングすることを特徴とする光学素子の表面平滑化方法。

IPC (2)：

G02B 3/00 , H01L 21/306

FI (2)：

G02B3/00 Z , H01L21/302 104Z

F-Term (10)：

5F004BB02 , 5F004DA00 , 5F004DA04 , 5F004DA05 , 5F004DA11 , 5F004DA22 , 5F004DA23 , 5F004DA25 , 5F004DB00 , 5F004DB03

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

光学素子の研削・研磨加工方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-008475 Applicant：キヤノン株式会社

Cited by examiner (6)

絶縁膜のエッチング方法及び装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-081307 Applicant：日本電装株式会社
微小構造の加工方法、該加工法を用いて作製した微小素子の作製方法、微小素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-148641 Applicant：キヤノン株式会社
エッチング方法並びにナノデバイスの作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-338337 Applicant：独立行政法人科学技術振興機構

Show all

Return to Previous Page