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J-GLOBAL ID:200903027464220209
ストリップ電極型放射線検出装置及びその検出装置を備えた原子炉炉心監視装置
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
佐藤 一雄 (外3名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998322523
Publication number (International publication number):2000147128
Application date: Nov. 12, 1998
Publication date: May. 26, 2000
Summary:
【要約】【課題】 大面積の半導体結晶を用いているにもかかわらず、エネルギー分解能が低下せず、構造が簡単で製作が容易な放射線検出装置を提供すること。【解決手段】 絶縁性基板2上にストリップ状陽電極3a〜3e及びストリップ状補助陰電極4a〜4fが交互に接近して形成されており、これらの電極と主陰電極5との間に半導体結晶6が配設されている。そして、これらの部材は、電極固定手段7により共に固定されている。半導体結晶6に対する電界は、主に主陰電極5とストリップ状陽電極3a〜3eとの間で発生するが、ストリップ状陽電極3a〜3e付近にはストリップ状補助陰電極4a〜4fが設けられているので、この付近の電界が強くなっている。これらのストリップ状電極は、絶縁性基板2に形成されるので製作が容易である。
Claim (excerpt):
陽電極と陰電極との間に放射線検出用の半導体結晶が配設された放射線検出器を有し、この放射線検出器の半導体結晶に放射線が入射したときに生成される電荷をいずれかの電極側で収集し、この収集した電荷により発生する電気信号に基づき放射線エネルギーの検出を行う放射線検出装置において、前記放射線検出器は、放射線入射側に配置される主電極及びこの主電極に対向する位置に配置される複数のストリップ状補助電極に分けて形成された前記陽電極及び陰電極のうちの一方の極性の電極と、前記一方の極性のストリップ状補助電極に対して交互に接近した状態で配設され、複数のストリップ状電極に分割された前記陽電極及び陰電極のうちの他方の極性の電極と、前記交互に接近した状態で配置された一方の極性の複数のストリップ状補助電極及び他方の極性の複数のストリップ状電極が形成された絶縁性基板と、前記一方の極性の主電極と、前記絶縁性基板に形成された前記一方の極性の複数のストリップ状補助電極及び前記他方の極性のストリップ状電極との間に配設された前記放射線検出用の半導体結晶と、前記一方の極性の主電極と前記絶縁性基板との間に押圧力を加えた状態で、前記一方の極性の主電極、前記半導体結晶、及び前記絶縁性基板を、共に固定する電極固定手段と、を含んで成ることを特徴とするストリップ電極型放射線検出装置。
IPC (5):
G01T 1/24
, G01T 3/08
, G21C 17/00
, G21C 17/108
, H01L 31/09
FI (5):
G01T 1/24
, G01T 3/08
, G21C 17/00 B
, G21C 17/10 K
, H01L 31/00 A
F-Term (33):
2G075AA01
, 2G075BA03
, 2G075CA08
, 2G075DA01
, 2G075EA01
, 2G075FA06
, 2G075FA19
, 2G075FB04
, 2G075FB10
, 2G075FC14
, 2G075GA02
, 2G075GA09
, 2G075GA15
, 2G088BB05
, 2G088EE22
, 2G088FF04
, 2G088FF09
, 2G088FF15
, 2G088FF17
, 2G088GG21
, 2G088JJ31
, 2G088KK01
, 2G088LL01
, 5F088AA03
, 5F088AB07
, 5F088AB09
, 5F088BA20
, 5F088BB10
, 5F088DA01
, 5F088FA09
, 5F088FA20
, 5F088KA10
, 5F088LA07
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (9)
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特開平1-100493
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特開平3-222484
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電子増倍半導体デバイスおよびこれを用いた複合デバイス
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-318043
Applicant:浜松ホトニクス株式会社
-
特開昭56-129380
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半導体射線検出器
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-010378
Applicant:日立化成工業株式会社
-
デユアルエネルギ半導体センサ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-154482
Applicant:株式会社島津製作所
-
電離放射線検出器
Gazette classification:公表公報
Application number:特願平8-506280
Applicant:インペリアルカレッジオブサイエンス,テクノロジーアンドメディシン
-
中性子検出器
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-289019
Applicant:三菱電機株式会社
-
特開平3-042878
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Article cited by the Patent:
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