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J-GLOBAL ID：200903027761573994

シリコン酸化膜の成膜方法および装置

Inventor：
本郷 俊明

About 本郷 俊明


Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

About 東京エレクトロン株式会社


Agent (1)： 高山 宏志
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007291881
Publication number (International publication number)：2008075182
Application date： Nov. 09, 2007
Publication date： Apr. 03, 2008
Summary：
【課題】 プラズマCVDによりシリコン酸化膜を成膜する際に、熱酸化膜に匹敵する良好な膜質を得ることができるシリコン酸化膜の成膜方法および成膜装置を提供すること。【解決手段】 シリコン含有ガスおよび酸素含有ガス以外に、水素ガスを処理室内に導入して、処理室内に水素を含有するプラズマを生成する工程を有し、高周波アンテナにより前記誘電体壁を介して前記処理室内に高密度の誘導結合プラズマを形成し、この高密度の誘導結合プラズマによりシリコン酸化膜を形成するとともに、プラズマ中のHとシリコン酸化膜中のSiとを反応させる。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
基板を載置する載置台を有する処理室と、その上のアンテナ室とに区画された、真空排気可能な金属製のハウジングと、前記処理室と前記アンテナ室とを区画する誘電体壁と、前記アンテナ室に前記誘電体壁に沿って設けられ、高周波電力が供給される高周波アンテナと、前記誘電体壁の下側に設けられ、処理室内にガスを導入するシャワーヘッドとを有するプラズマCVD装置を用い、処理室内にシリコン含有ガスおよび酸素含有ガスを導入してこれらガスのプラズマを生成し、基板にシリコン酸化膜を堆積して成膜するシリコン酸化膜の成膜方法であって、 前記シリコン含有ガスおよび酸素含有ガス以外に、水素ガスを処理室内に導入して、処理室内に水素を含有するプラズマを生成する工程を有し、 前記高周波アンテナにより前記誘電体壁を介して前記処理室内に高密度の誘導結合プラズマを形成し、この高密度の誘導結合プラズマによりシリコン酸化膜を形成するとともに、プラズマ中のHとシリコン酸化膜中のSiとを反応させることを特徴とするシリコン酸化膜の成膜方法。
IPC (6)：
C23C 16/42 ,  C23C 16/505 ,  G02F 1/136 ,  G02F 1/13 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/31
FI (7)：
C23C16/42 ,  C23C16/505 ,  G02F1/136 ,  G02F1/13 101 ,  H01L21/316 X ,  H01L21/316 P ,  H01L21/31 C
F-Term (50)：
2H088FA17 ,  2H088FA21 ,  2H088FA30 ,  2H088MA20 ,  2H092MA02 ,  2H092MA08 ,  2H092MA25 ,  2H092MA35 ,  2H092NA25 ,  4K030AA06 ,  4K030AA14 ,  4K030AA17 ,  4K030BA44 ,  4K030CA06 ,  4K030FA04 ,  4K030KA08 ,  4K030KA30 ,  4K030LA18 ,  5F045AA08 ,  5F045AB32 ,  5F045AC01 ,  5F045AC11 ,  5F045AD07 ,  5F045AE17 ,  5F045AF03 ,  5F045BB16 ,  5F045CA15 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045EB08 ,  5F045EB09 ,  5F045EF05 ,  5F045EH02 ,  5F045EH11 ,  5F045EK09 ,  5F045EM03 ,  5F045EN04 ,  5F045GB05 ,  5F045GB06 ,  5F045HA16 ,  5F058BA20 ,  5F058BB10 ,  5F058BC02 ,  5F058BF07 ,  5F058BF23 ,  5F058BF29 ,  5F058BF37 ,  5F058BF39 ,  5F058BH16 ,  5F058BJ01
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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