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J-GLOBAL ID：200903027910517067

窒化物半導体発光素子、窒化物半導体発光素子の製造方法および窒化物半導体トランジスタ素子

Inventor：
神川 剛

About 神川 剛

, 
川口 佳伸

About 川口 佳伸


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (6)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007009282
Publication number (International publication number)：2007273951
Application date： Jan. 18, 2007
Publication date： Oct. 18, 2007
Summary：
【課題】高温かつ高出力の駆動においても十分な信頼性を得ることができる窒化物半導体発光素子およびその窒化物半導体発光素子を製造するための窒化物半導体発光素子の製造方法、ならびに信頼性を向上することができる窒化物半導体トランジスタ素子を提供する。【解決手段】光出射部にコート膜が形成されており、コート膜はアルミニウムの窒化物結晶またはアルミニウムの酸窒化物結晶を含む窒化物半導体発光素子と、その窒化物半導体発光素子の製造方法である。また、窒化物半導体層と窒化物半導体層に接するゲート絶縁膜とを含み、ゲート絶縁膜がアルミニウムの窒化物結晶またはアルミニウムの酸窒化物結晶を含む窒化物半導体トランジスタ素子である。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
光出射部にコート膜が形成されており、前記コート膜はアルミニウムの窒化物結晶またはアルミニウムの酸窒化物結晶を含むことを特徴とする、窒化物半導体発光素子。
IPC (5)：
H01S 5/343 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/78
FI (3)：
H01S5/343 610 ,  H01L29/80 H ,  H01L29/78 301B
F-Term (32)：
5F102FA01 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM07 ,  5F102GQ01 ,  5F102GV09 ,  5F140BA06 ,  5F140BA09 ,  5F140BB18 ,  5F140BD04 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F173AA05 ,  5F173AA47 ,  5F173AG12 ,  5F173AH22 ,  5F173AL02 ,  5F173AL04 ,  5F173AL05 ,  5F173AL13 ,  5F173AL14 ,  5F173AL19 ,  5F173AP76 ,  5F173AP78 ,  5F173AP82 ,  5F173AR14 ,  5F173AR68 ,  5F173AR75
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (7)
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