窒化物半導体、半導体素子およびこれらの製造方法

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：藤島洋一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002051583
Publication number (International publication number)：2003017421
Application date： Feb. 27, 2002
Publication date： Jan. 17, 2003
Summary：

【要約】【課題】表面に広い低欠陥領域を有する窒化物半導体とこれを用いた半導体素子、並びに、横方向成長技術を用いた層形成工程において簡便に表面欠陥を低減することができる窒化物半導体の製造方法と、これを用いて製造される半導体素子の製造方法を提供する。【解決手段】基板100の上に、バッファ層100aを介して種結晶部105をストライプ状に形成する。次に、2段階の成長条件で種結晶部105から結晶を成長させ、窒化物半導体層107を形成する。その第1段階では、成長温度1030°Cで層厚み方向の断面が台形型の低温成長部107aを形成し、第2段階では、成長温度1070°Cで横方向成長を支配的に進行させ、低温成長部107a間に高温成長部107bを形成する。これにより、窒化物半導体層107の表面は、低温成長部107aの上方においてヒロックや通常の格子欠陥が低減する。

Claim (excerpt)：

III-V族系窒化物半導体よりなる第1の種結晶部と、III-V族系窒化物半導体よりなり、前記第1の種結晶部から成長した層厚み方向の断面が三角形状または台形状である第2の種結晶部と、III-V族系窒化物半導体よりなり、前記第2の種結晶部を基礎として成長した半導体層とを備えたことを特徴とする窒化物半導体。

IPC (3)：

H01L 21/205 , C30B 29/38 , H01S 5/323 610

FI (3)：

H01L 21/205 , C30B 29/38 D , H01S 5/323 610

F-Term (41)：

4G077AA03 , 4G077BE15 , 4G077DB01 , 4G077EA02 , 4G077EA04 , 4G077EE01 , 4G077EE05 , 4G077TC06 , 4G077TC08 , 4G077TC14 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AD14 , 5F045AF09 , 5F045BB12 , 5F045CA12 , 5F045DA53 , 5F045DA55 , 5F045DB02 , 5F073AA04 , 5F073AA13 , 5F073AA45 , 5F073AA51 , 5F073AA55 , 5F073AA74 , 5F073AA83 , 5F073AA89 , 5F073CA02 , 5F073CA07 , 5F073CB02 , 5F073CB04 , 5F073CB05 , 5F073CB07 , 5F073DA05 , 5F073DA07 , 5F073DA25 , 5F073DA33 , 5F073DA35 , 5F073EA16 , 5F073EA23 , 5F073EA29

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (11)

トレンチ側壁からの横方向成長による窒化ガリウム半導体層の製造
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2000-553988 Applicant：ノース・キャロライナ・ステイト・ユニヴァーシティ
III族窒化物緩衝層を有するIII族窒化物エピタキシャル層の一段ペンデオエピタキシャルオーバーグロース及び一段横方向エピタキシャルオーバーグロース
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2001-530903 Applicant：クリーインコーポレイテッド
窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-037826 Applicant：日亜化学工業株式会社

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