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J-GLOBAL ID：200903028517388138

超臨界処理方法及び装置

Inventor：
生津 英夫

About 生津 英夫


Applicant, Patent owner：
エヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジ株式会社

About エヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジ株式会社


Agent (2)： 山川 政樹 ,  山川 茂樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005125375
Publication number (International publication number)：2006303316
Application date： Apr. 22, 2005
Publication date： Nov. 02, 2006
Summary：
【課題】短時間で十分な超臨界処理の状態が得られるようにする。【解決手段】蓋103を容器下部102に密着させて、また、バルブ107を閉じることで、容器下部102の内部が密閉され、高圧容器が形成された状態とし、図示しない加熱手段により容器下部102の内部に収容されている洗浄液120が、例えば、200〜250°C程度に加熱された状態とする。加えて、背圧弁109を調整することで、密閉された容器下部102の内部が3MPa程度となるようにする。このことにより、密閉された容器下部102の内部は、超臨界状態となったHCF2CF2OCH2CF3及び乳酸エチルからなる超臨界流体121で充填され、基板101が、超臨界流体121に浸漬された状態となる。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
基板を高圧容器の内部に配置する第1の工程と、 前記高圧容器の内部にフッ素化合物と有機物を溶解する溶剤とからなる混合溶液を収容して加熱し、前記高圧容器の内部が超臨界状態となった前記フッ素化合物及び前記溶剤による超臨界流体で充填された状態とする第2の工程と、 前記高圧容器の内部圧力を低下させて前記超臨界流体が気化された状態とする第3の工程と を少なくとも備えることを特徴とする超臨界処理方法。
IPC (3)：
H01L 21/304 ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/027
FI (4)：
H01L21/304 647Z ,  H01L21/304 647A ,  G03F7/42 ,  H01L21/30 572B
F-Term (5)：
2H096AA25 ,  2H096LA03 ,  5F046MA02 ,  5F046MA03 ,  5F046MA06
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)
  • 超臨界処理方法及び装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-169843   Applicant：日本電信電話株式会社
  • 特許第3494939号公報
Cited by examiner (9)
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