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J-GLOBAL ID：200903028819091290

半導体装置

Inventor：
木村 肇

About 木村 肇


Applicant, Patent owner：
株式会社半導体エネルギー研究所

About 株式会社半導体エネルギー研究所


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008168841
Publication number (International publication number)：2009033145
Application date： Jun. 27, 2008
Publication date： Feb. 12, 2009
Summary：
【課題】大型の半導体装置で、高速に動作する半導体装置を提供することを目的する。【解決手段】単結晶の半導体層を有するトップゲート型のトランジスタと、アモルファスシリコン(またはマイクロクリスタルシリコン)の半導体層を有するボトムゲート型のトランジスタとを同一基板に形成する。そして、各々のトランジスタが有するゲート電極を同じレイヤーで形成し、ソース及びドレイン電極も同じレイヤーで形成する。このようにして、製造工程を削減する。つまり、ボトムゲート型のトランジスタの製造工程に、少しだけ工程を追加するだけで、2つのタイプのトランジスタを製造することが出来る。【選択図】図6
Claim (excerpt)：
絶縁基板の上方に第1の半導体層を有し、 前記半導体層の上方に第1の絶縁層を有し、 前記絶縁層の上方に第1および第2の導電層を有し、 前記第1および第2の導電層の上方に第2の絶縁層を有し、 前記第2の絶縁層の上方に第2の半導体層および第3の導電層を有し、 前記第2の半導体層の上方に第4の導電層を有し、 前記第3および第4の導電層の上方に第3の絶縁層を有し、 前記第3の絶縁層の上方に第5の導電層を有し、 前記第1の半導体層は、第1のトランジスタの活性層としての機能を有し、 前記第2の半導体層は、第2のトランジスタの活性層としての機能を有し、 前記第1の半導体層と前記第2の半導体層の特性が異なることを特徴とする半導体装置。
IPC (9)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/02 ,  H01L 27/12 ,  H01L 27/08 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/088 ,  H01L 27/06 ,  G02F 1/136
FI (8)：
H01L29/78 613Z ,  H01L29/78 627D ,  H01L29/78 612D ,  H01L27/12 B ,  H01L27/08 331E ,  H01L27/08 102C ,  H01L27/06 102A ,  G02F1/1368
F-Term (155)：
2H092JA26 ,  2H092JA28 ,  2H092JA46 ,  2H092KA03 ,  2H092KA05 ,  2H092MA17 ,  2H092MA28 ,  2H092NA05 ,  2H092NA21 ,  2H092PA11 ,  2H092PA12 ,  2H092PA13 ,  5F048AA09 ,  5F048AB03 ,  5F048AB04 ,  5F048AB10 ,  5F048AC01 ,  5F048AC10 ,  5F048BA14 ,  5F048BA15 ,  5F048BA16 ,  5F048BA19 ,  5F048BB01 ,  5F048BB08 ,  5F048BB09 ,  5F048BC06 ,  5F048BC15 ,  5F048BC18 ,  5F048BF01 ,  5F048BF02 ,  5F048BF04 ,  5F048BF05 ,  5F048BF06 ,  5F048BF07 ,  5F048BF11 ,  5F048BF16 ,  5F048BG07 ,  5F110AA04 ,  5F110AA16 ,  5F110BB02 ,  5F110BB03 ,  5F110BB04 ,  5F110BB11 ,  5F110CC02 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD07 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE06 ,  5F110EE08 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE23 ,  5F110EE28 ,  5F110EE30 ,  5F110EE32 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF23 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG04 ,  5F110GG05 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG16 ,  5F110GG17 ,  5F110GG25 ,  5F110GG30 ,  5F110GG32 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG35 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ01 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK05 ,  5F110HK06 ,  5F110HK09 ,  5F110HK15 ,  5F110HK16 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110HL01 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL05 ,  5F110HL06 ,  5F110HL07 ,  5F110HL08 ,  5F110HL11 ,  5F110HL12 ,  5F110HL22 ,  5F110HL23 ,  5F110HL24 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN12 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN37 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110NN78 ,  5F110PP01 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP34 ,  5F110QQ01 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ17 ,  5F110QQ19
Patent cited by the Patent：
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