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J-GLOBAL ID:200903051141973915
液晶表示装置
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
,
Agent (1):
山本 秀策
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994132973
Publication number (International publication number):1996006053
Application date: Jun. 15, 1994
Publication date: Jan. 12, 1996
Summary:
【要約】【目的】 リーク電流やオフ電流が低減され、基板全面にわたって高性能で、かつ安定した特性を持つ状態に、アクティブマトリックス型LCDの画素用TFTおよび周辺駆動回路用TFTが同一基板上に形成されるようにする。【構成】 周辺駆動回路用TFTの結晶性珪素膜は、非晶質珪素膜104にNi等の触媒元素を導入した後、600°C以下の温度で加熱し、基板101表面に対して概略平行な方向に結晶成長させて得られ、結晶欠陥(転位)密度のかなり低い結晶状態を有する珪素膜である。一方、画素用TFTの結晶性珪素膜は非晶質珪素膜を600°C以上の温度で加熱することによって自然核発生によって結晶化させた珪素膜である。
Claim (excerpt):
液晶層を挟む一対の基板の一方の基板上にマトリックス状に配列された画素電極と、該画素電極に接続された画素用トランジスタとから構成される表示部を有する液晶表示装置において、該表示部の外側に該画素用トランジスタを駆動する周辺駆動回路が配置され、該画素用トランジスタ及び該周辺駆動回路に備わった周辺駆動回路用トランジスタが結晶性珪素膜からなる薄膜トランジスタで形成されると共に、該周辺駆動回路用トランジスタの結晶性珪素膜が触媒元素を含む構成となった液晶表示装置。
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (22)
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半導体装置およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-156594
Applicant:株式会社半導体エネルギー研究所, シャープ株式会社
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半導体装置およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-297651
Applicant:株式会社半導体エネルギー研究所
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薄膜状半導体装置およびその作製方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-275412
Applicant:株式会社半導体エネルギー研究所
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液晶表示装置及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-193720
Applicant:株式会社日立製作所
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マトリクス回路駆動装置およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-317996
Applicant:カシオ計算機株式会社
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半導体回路およびその作製方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-067982
Applicant:株式会社半導体エネルギー研究所
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薄膜トランジスタ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-232466
Applicant:シャープ株式会社
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特開平4-139728
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半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-166117
Applicant:株式会社半導体エネルギー研究所
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半導体装置の作製方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-204774
Applicant:株式会社半導体エネルギー研究所
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半導体装置及びその作製方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-265597
Applicant:株式会社半導体エネルギー研究所
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半導体装置及びその作製方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-265598
Applicant:株式会社半導体エネルギー研究所
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半導体およびその作製方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-162704
Applicant:株式会社半導体エネルギー研究所
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半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-319904
Applicant:シャープ株式会社
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半導体装置およびその作製方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-346710
Applicant:株式会社半導体エネルギー研究所
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半導体装置およびその作製方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-031824
Applicant:株式会社半導体エネルギー研究所
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半導体基板の製造方法及び半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-057728
Applicant:シャープ株式会社
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半導体装置およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-077699
Applicant:シャープ株式会社
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半導体装置およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-083383
Applicant:シャープ株式会社
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半導体装置の作成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-133632
Applicant:株式会社半導体エネルギー研究所
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半導体装置およびその作製方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-156513
Applicant:株式会社半導体エネルギー研究所
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半導体装置及びその作製方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-164643
Applicant:株式会社半導体エネルギー研究所
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