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J-GLOBAL ID:200903028909673442
半導体装置及びその製造方法、半導体ウエハ及びそれにより製造される半導体装置
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
大西 健治
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000304720
Publication number (International publication number):2002110951
Application date: Oct. 04, 2000
Publication date: Apr. 12, 2002
Summary:
【要約】 (修正有)【課題】半導体装置の裏面電位を固定するための導電層が設けられるエッジ領域を狭くする。【解決手段】素子形成領域110を囲むエッジ領域120を有するベース用半導体基板201と、素子形成領域110のベース用半導体基板201上に設けられる埋め込み酸化膜202と、埋め込み酸化膜202上に設けられる素子形成用半導体基板203と、素子形成用半導体基板203及び埋め込み酸化膜202の第3の面とエッジ領域120のベース用半導体基板201の一部上とに設けられる絶縁膜207と、電極パッド205上と絶縁膜207上とエッジ領域120のベース用半導体基板201上とに設けられる導電層210と、素子形成領域110の導電層210上に設けられるポスト211と、ポスト211の第1の面に設けられる球状電極212と、ポスト211の第3の面と導電層210を封止する封止部材213と、を有するものである。
Claim (excerpt):
素子形成領域と該素子形成領域を囲むエッジ領域とを有するベース用半導体基板と、前記素子形成領域の前記ベース用半導体基板の第1の面に設けられる埋め込み酸化膜と、前記埋め込み酸化膜の第1の面に設けられる素子形成用半導体基板と、前記素子形成用半導体基板上と、前記埋め込み酸化膜の第3の面と、前記エッジ領域のベース用半導体基板の第1の面とに設けられる絶縁膜と、前記絶縁膜上と、前記エッジ領域のベース用半導体基板の第1の面とに設けられる導電層と、前記導電層と電気的に接続されるように設けられる導電性柱状部材と、前記導電性柱状部材の第3の面と、前記導電層とを封止する封止部材とにより構成される半導体装置。
IPC (8):
H01L 27/12
, H01L 21/56
, H01L 21/3205
, H01L 21/768
, H01L 21/60
, H01L 23/12 501
, H01L 23/29
, H01L 23/31
FI (8):
H01L 27/12 C
, H01L 21/56 R
, H01L 23/12 501 P
, H01L 21/88 T
, H01L 21/90 D
, H01L 21/92 602 F
, H01L 21/92 604 H
, H01L 23/30 B
F-Term (27):
4M109AA02
, 4M109BA07
, 4M109CA04
, 4M109CA21
, 5F033GG03
, 5F033HH11
, 5F033HH18
, 5F033JJ01
, 5F033JJ11
, 5F033JJ18
, 5F033KK01
, 5F033MM05
, 5F033MM30
, 5F033NN06
, 5F033PP15
, 5F033QQ09
, 5F033QQ10
, 5F033QQ37
, 5F033RR04
, 5F033SS11
, 5F033TT07
, 5F033VV07
, 5F061AA02
, 5F061BA07
, 5F061CA04
, 5F061CA21
, 5F061CB05
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (15)
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シリコン・オン・インシュレータ(SOI)ウエハのシリコン基板の表側表面にコンタクトを形成する方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-057624
Applicant:インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
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埋め込みSOI構造への電気接点を有する半導体デバイスおよびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-091319
Applicant:インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
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半導体装置及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-052511
Applicant:株式会社東芝
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半導体装置およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-303566
Applicant:日本電装株式会社
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半導体チップのための埋め込み型熱導体
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-005031
Applicant:インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
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半導体素子基板
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-033967
Applicant:キヤノン株式会社
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半導体装置およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-236135
Applicant:株式会社デンソー
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特開平1-312869
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特開平2-211668
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特開平1-312869
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特開平2-211668
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半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-030606
Applicant:日本電装株式会社
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特開平1-312869
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特開平2-211668
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半導体装置およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-297287
Applicant:シチズン時計株式会社
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