窒化ガリウム系化合物半導体発光素子およびその製造方法ならびに発光装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：佐藤一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997119114
Publication number (International publication number)：1998308533
Application date： May. 09, 1997
Publication date： Nov. 17, 1998
Summary：

【要約】【課題】半導体層側から光を取り出すことを可能とし、サファイア基板を下面としてマウントしても十分な発光強度が得られるばかりでなく、製造歩留まりおよび信頼性も向上された窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法ならびに発光装置を提供することを目的とする。【解決手段】基板上に堆積した窒化ガリウム系化合物半導体層の最上面に酸素と金属元素とを含む透光性電極を形成し、この電極を透過させて発光を取り出すようにする。この透光性電極に水素を含有させるとさらに光透過率を向上させることができる。また、透光性電極の下にドーパントの層を設け、熱処理を施すことにより、接触抵抗を低減することができる。

Claim (excerpt)：

基板と、前記基板上に堆積された少なくとも1層の第1導電型の窒化ガリウム系化合物半導体の層と、前記第1導電型の窒化ガリウム系化合物半導体の層の上に堆積された少なくとも1層の第2導電型の窒化ガリウム系化合物半導体の層と、からなる積層構造体と、前記第2導電型の窒化ガリウム系化合物半導体の層の表面上に形成され、酸素を含有し、ニッケル、チタン、白金、タングステン、パラジウム、モリブデン、バナジウム、イリジウム、ロジウム、コバルト、金、マグネシウム、及びアルミニウムからなる群から選択された金属からなる透光性電極と、を備え、前記積層構造体の内部で生じた発光を前記透光性電極を透過させて取り出すようにしたことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 , H01S 3/18

FI (2)：

H01L 33/00 C , H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

発光半導体素子用透光性電極およびその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-118315 Applicant：昭和電工株式会社
窒化物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-279967 Applicant：日亜化学工業株式会社
p伝導形3族窒化物半導体の電極及び電極形成方法及び素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-160886 Applicant：豊田合成株式会社, 株式会社豊田中央研究所

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