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J-GLOBAL ID：200903029190963644

炭化珪素半導体およびその製造方法と製造装置

Inventor： 西口 太郎 ,  原田 真 ,  木下 博之 ,  塩見 弘
Applicant, Patent owner： 株式会社シクスオン ,  関西電力株式会社 ,  住友電気工業株式会社 ,  三菱商事株式会社
Agent (2)： 上代 哲司 ,  神野 直美
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005080648
Publication number (International publication number)：2006261612
Application date： Mar. 18, 2005
Publication date： Sep. 28, 2006
Summary：

【課題】不純物窒素が高い精度で面内に均一にドーピングされた、しかも広い面積の炭化珪素半導体を提供する。【解決手段】エピタキシャル成長を利用して炭化珪素の結晶を成長させつつその内部に窒素をドーピングする炭化珪素半導体の製造方法であって、窒素源として供給する窒素化合物のガスを炭化珪素の結晶が形成される基板上に導入する前に、予め熱分解させておくための予備加熱ステップを有していることを特徴とする炭化珪素半導体の製造方法。前記予備加熱ステップは、前記窒素化合物のガスを、1300°C以上の部屋内を流すステップであることを特徴とする炭化珪素半導体の製造方法。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

エピタキシャル成長を利用して炭化珪素の結晶を成長させつつその内部に窒素をドーピングする炭化珪素半導体の製造方法であって、 窒素源として供給する窒素化合物のガスを炭化珪素の結晶が形成される基板上に導入する前に、予め熱分解させておくための予備加熱ステップを有していることを特徴とする炭化珪素半導体の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/42 ,  C30B 29/36 ,  H01L 29/167

FI (4)：

H01L21/205 ,  C23C16/42 ,  C30B29/36 A ,  H01L29/167

F-Term (32)：

4G077AA03 ,  4G077BE08 ,  4G077DB01 ,  4G077EA06 ,  4G077EB01 ,  4G077HA06 ,  4G077TC02 ,  4G077TC03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030BA37 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030EA03 ,  4K030FA10 ,  4K030JA10 ,  4K030KA25 ,  4K030LA12 ,  5F045AB06 ,  5F045AC01 ,  5F045AC07 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AC19 ,  5F045BB04 ,  5F045DP04 ,  5F045EB15 ,  5F045EE03 ,  5F045EK03 ,  5F045HA06

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (8)

• 炭化珪素基板およびその製造方法、並びに炭化珪素基板を用いた半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-241899   Applicant：松下電器産業株式会社
• 炭化ケイ素への不純物ドーピング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-273445   Applicant：工業技術院長, 株式会社イオン工学研究所
• 炭化ケイ素ウエハの製造方法及び炭化ケイ素発光ダイオード素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-278699   Applicant：三洋電機株式会社
• CVD装置および薄膜製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-048887   Applicant：株式会社シクスオン, 関西電力株式会社, 住友電気工業株式会社, 三菱商事株式会社
• 化合物半導体製造用水平反応炉
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-009728   Applicant：ハンベックコーポレイション
• 半導体発光素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-209270   Applicant：豊田合成株式会社
• 結晶成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-206230   Applicant：日本電気株式会社
• 特開平3-080197
  

Cited by examiner (7)

• 炭化ケイ素ウエハの製造方法及び炭化ケイ素発光ダイオード素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-278699   Applicant：三洋電機株式会社
• CVD装置および薄膜製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-048887   Applicant：株式会社シクスオン, 関西電力株式会社, 住友電気工業株式会社, 三菱商事株式会社
• 炭化珪素基板およびその製造方法、並びに炭化珪素基板を用いた半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-241899   Applicant：松下電器産業株式会社
• 特開平3-080197
  
• 結晶成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-206230   Applicant：日本電気株式会社
• 化合物半導体製造用水平反応炉
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-009728   Applicant：ハンベックコーポレイション
• 半導体発光素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-209270   Applicant：豊田合成株式会社