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J-GLOBAL ID：200903029685933180

微細レジストパターン形成方法及びナノインプリントモールド構造

Inventor：
廣島 雅人

About 廣島 雅人


Applicant, Patent owner：
エルピーダメモリ株式会社

About エルピーダメモリ株式会社


Agent (3)： 宮崎 昭夫 ,  石橋 政幸 ,  緒方 雅昭
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007170485
Publication number (International publication number)：2009010188
Application date： Jun. 28, 2007
Publication date： Jan. 15, 2009
Summary：
【課題】一度のインプリント工程(押型&UV露光)により、様々なデザインを想定した多様な寸法を有するパターンを全て忠実に転写することができることを旨とした、新しいモールド構造と高精度かつ安定的なプリント性能を担保できるレジストプロセスを提案する。【解決手段】ナノインプリントによりパターンを形成する部位に対応するモールドパターンと、非断熱近接場露光によりパターンを形成する部位に対応する導電膜によるパターンを有する透光性のモールド構造を使用し、インプリント工程時に同時にモールド構造背面より紫外光を照射し、非断熱近接場光露光を行う工程を行う。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
線幅10nm以下の極微細パターンの形成を非断熱近接場光露光で、それ以外のパターンをナノインプリントで、被加工基板に形成したフォトレジストに転写する微細パターン形成方法であって、ナノインプリントによりパターンを形成する部位に対応するモールドパターンと、非断熱近接場露光によりパターンを形成する部位に対応する導電膜によるパターンを有する透光性のモールド構造を使用し、インプリント工程時に同時にモールド構造背面より前記フォトレジストが感光帯域を有しない波長帯域の非共鳴光を照射し、前記導電膜のエッジ部で発生する非断熱近接場光で露光を行う工程を有することを特徴とする微細レジストパターン形成方法。
IPC (3)：
H01L 21/027 ,  B82B 3/00 ,  B29C 59/02
FI (3)：
H01L21/30 502D ,  B82B3/00 ,  B29C59/02 B
F-Term (13)：
4F209AA44 ,  4F209AH33 ,  4F209AH73 ,  4F209AJ08 ,  4F209AJ09 ,  4F209PA02 ,  4F209PB01 ,  4F209PC01 ,  4F209PC05 ,  4F209PN09 ,  4F209PQ11 ,  5F046AA28 ,  5F046BA10
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (5)
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