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J-GLOBAL ID：200903058886498814

ナノインプリント方法及び装置

Inventor：
八井 崇

About 八井 崇

, 
大津 元一

About 大津 元一


Applicant, Patent owner：
独立行政法人科学技術振興機構

About 独立行政法人科学技術振興機構


Agent (2)： 林 信之 ,  安彦 元
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005105806
Publication number (International publication number)：2006287012
Application date： Apr. 01, 2005
Publication date： Oct. 19, 2006
Summary：
【課題】 超微細なパターンを高精度に転写することが可能なナノインプリント方法及び装置を提供する。【解決手段】 転写すべきパターンに応じた凹凸が形成された基板41と基板41の凹凸上に積層させた金属性薄膜42とを有するモールド13を、レジスト膜22が表面に塗布された被加工材21へ押し付け、被加工材21の押し付け面に対する背面側から光を照射し、或いはモールド13の押し付け面に対する背面側から光を照射し、照射した光に基づいて発生させた近接場光によりレジスト膜22を感光させ、その後モールド13を被加工材21から剥離させる。【選択図】図2
Claim (excerpt)：
被加工材に対してナノスケールのパターンを転写するナノインプリント方法において、 上記転写すべきパターンに応じた凹凸が形成された基板と当該基板の凹凸上に積層させた遮光性の薄膜とを有するモールドを、光硬化性樹脂が表面に塗布された上記被加工材へ押し付け、 上記被加工材の上記押し付け面に対する背面側から光を照射し、或いは上記モールドの上記押し付け面に対する背面側から光を照射し、 上記照射した光に基づいて発生させた近接場光により上記光硬化性樹脂を感光させ、 その後上記モールドを上記被加工材から剥離させること を特徴とするナノインプリント方法。
IPC (2)：
H01L 21/027 ,  G03F 7/20
FI (2)：
H01L21/30 502D ,  G03F7/20 501
F-Term (3)：
2H097GA45 ,  2H097LA10 ,  5F046AA28
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
  • 硬化ナノインプリントスタンプ
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-364008   Applicant：ヒューレット-パッカードデベロップメントカンパニーエル.ピー.
Cited by examiner (11)
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