クラスター及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner： , ,
Agent (2)：後藤洋介 (外2名) , 後藤洋介 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999130158
Publication number (International publication number)：2000327319
Application date： May. 11, 1999
Publication date： Nov. 28, 2000
Summary：

【要約】【課題】金属原子もしくは金属原子団(金属クラスター)が、シリコン(Si)もしくは水素化シリコンによって、全体もしくは一部が覆われている金属シリコンクラスターならびに水素化金属シリコンクラスターを提供する。【解決手段】金属原子もしくは金属クラスターをシラン(SiH4)ガスと逐次的に反応させることにより、MmSinHx(M:金属、m:1以上の整数、n:1以上の整数、x:0以上の整数)の分子式で表される金属を含有したシリコンクラスター(x=0)、ならびに金属を含有した水素化シリコンクラスター(x≧1)を生成させる。金属とシリコン、もしくは、金属、シリコンと水素の組成が原子レベルで制御されている金属とシリコンから構成される種々の材料、例えば、高選択性の触媒、耐熱・耐火材料、金属材料、半導体材料、磁性材料、超伝導材料、蛍光体材料、光学材料として、あるいはこれらの材料を形成するための中間物質として有用である。

Claim (excerpt)：

単独の金属原子もしくは金属原子団又は金属クラスターを含むシリコン(Si)クラスターからなるか又は金属原子もしくは金属原子団(金属クラスター)を含む水素化シリコンクラスターからなることを特徴とするクラスター。

IPC (4)：

C01B 33/06 , B22F 9/00 , C30B 29/10 ZAA , H01L 21/285 301

FI (4)：

C01B 33/06 , B22F 9/00 Z , C30B 29/10 ZAA , H01L 21/285 301 Z

F-Term (36)：

4G072AA41 , 4G072AA50 , 4G072HH04 , 4G072JJ25 , 4G077AA03 , 4G077BA07 , 4G077BA08 , 4G077BA10 , 4G077DA11 , 4G077DB04 , 4K017AA02 , 4K017AA06 , 4K017BA09 , 4K017BB02 , 4K017BB04 , 4K017BB06 , 4K017BB08 , 4K017BB09 , 4K017BB12 , 4K017CA09 , 4K017DA01 , 4K017DA02 , 4K017DA09 , 4K017EK08 , 4K017FA02 , 4K017FB11 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB07 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104BB13 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104DD36

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

負極及びLi二次電池
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-067819 Applicant：三菱電線工業株式会社
特開平2-080554
クラスレート化合物およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-342101 Applicant：日本電気株式会社