極薄絶縁膜形成方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：北村欣一 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997137044
Publication number (International publication number)：1998324969
Application date： May. 27, 1997
Publication date： Dec. 08, 1998
Summary：

【要約】【課題】従来のスパッタ法では困難であった数十〜数百Åの極薄で磁気ヘッドのギャップ層やトンネル接合型GMRに好都合な化合物絶縁膜を形成する方法を提案する【解決手段】真空室1内に、直流電源5に接続されたメタルターゲット6とその背後の磁石7及び該ターゲットの前方のイオン化率を高めるRFコイル8を備えたマグネトロンカソード9を設け、プラズマ発生のための該ターゲット及びRFコイルへの投入電力と、該真空室内へ導入するスパッタ用不活性ガス及び反応性ガスの流量とを制御し、該ターゲットに対向して設けた基板13にメタル膜の成膜と該メタル膜の絶縁化合物化を交互に行う。

Claim (excerpt)：

真空室内に、直流電源に接続されたメタルターゲットとその背後の磁石及び該ターゲットの前方のイオン化率を高めるRFコイルを備えたマグネトロンカソードを設け、プラズマ発生のための該ターゲット及びRFコイルへの投入電力と、該真空室内へ導入するスパッタ用不活性ガス及び反応性ガスの流量とを制御し、該ターゲットに対向して設けた基板にメタル膜の成膜と該メタル膜の絶縁化合物化を交互に行うことを特徴とする極薄絶縁膜形成方法。

IPC (5)：

C23C 14/34 , C23C 14/08 , C23C 14/35 , C23C 14/58 , G11B 5/39

FI (5)：

C23C 14/34 M , C23C 14/08 A , C23C 14/35 Z , C23C 14/58 Z , G11B 5/39

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (14)

スパッタリングカソード及びスパッタリング装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-136125 Applicant：日本真空技術株式会社
薄膜形成方法および装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-337931 Applicant：株式会社シンクロン
薄膜の作成法および作成装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-302165 Applicant：石川島播磨重工業株式会社

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