半導体デバイスとゲート誘電体層の形成方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：三俣弘文
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002020962
Publication number (International publication number)：2002319673
Application date： Jan. 30, 2002
Publication date： Oct. 31, 2002
Summary：

【要約】【課題】リーク電流を減らし、入力FETキャパシタンスを増加させた半導体デバイスを提供する。【解決手段】本発明によれば、半導体に関し、ゲート誘電体組み合わせ層(60、75)は、第1の層 (60)と第2の層(80)のそれぞれの誘電体層間で形成され、合成されたものである。前記の組み合わされた誘電体層は、3.9から12の酸化シリコン(SiOx≦2) 製の層から構成されている。よって、ゲート誘電体層形成の材料として従来使用されていた二酸化シリコン製バルクの代替材料として酸化シリコンを用いることにより、入力FETキャパシタンスを増加させながら、リーク電流を減らすことを可能とする半導体デバイスを提供することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

導電層とシリコン製基板との間に形成された誘電体層を有し前記誘電体層は、誘電率が3.9以上12以下である酸化シリコン(SiOx≦2)の層を含むことを特徴とする請求項1記載の半導体デバイス。

IPC (2)：

H01L 29/78 , H01L 21/316

FI (2)：

H01L 21/316 X , H01L 29/78 301 G

F-Term (19)：

5F058BA20 , 5F058BD01 , 5F058BD04 , 5F058BF04 , 5F058BF06 , 5F058BJ04 , 5F140AA00 , 5F140AA24 , 5F140BA01 , 5F140BD01 , 5F140BD05 , 5F140BD07 , 5F140BD11 , 5F140BD12 , 5F140BD13 , 5F140BD15 , 5F140BE07 , 5F140BE09 , 5F140BE10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-243758 Applicant：株式会社東芝
半導体基板上に半導体デバイスを形成する方法及びトランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-249561 Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-199590 Applicant：株式会社東芝

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

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