p型GaN層に透光性接触部を形成する方法

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：加藤公久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000164118
Publication number (International publication number)：2001007398
Application date： Jun. 01, 2000
Publication date： Jan. 12, 2001
Summary：

【要約】【課題】p型GaN層に応用した場合に望ましい光学及び電気特性を呈する透光性接触部を形成する方法を提供する。【解決手段】オプトエレクトロニクス素子(10)の有するp型GaN層(20,30)の表面上に、金属酸化物からなる透光性接触部を成膜技術によって形成する。透光性接触部は、所望の金属を成膜前又は成膜中に酸化して形成する。金属酸化物は、NiO、II族金属酸化物、遷移金属酸化物等から選択されて成る。透光性接触部には、更に貴金属が添加され得る。

Claim (excerpt)：

光源の透光性接触部を形成する方法であって、オプトエレクトロニクス素子の層の1つとしてp型窒化ガリウム(GaN)を少なくとも1層形成する工程と、前記p型GaN層の表面に透光性の導電層を形成する為に金属を選択する工程と、選択した前記金属を前記表面へと酸化した材料として成膜する工程とを含み、選択した前記金属が、該金属のp型GaN層への成膜前又は成膜中に酸化されることを特徴とする方法。

IPC (3)：

H01L 33/00 , H01S 5/042 610 , H01S 5/323

FI (3)：

H01L 33/00 C , H01S 5/042 610 , H01S 5/323

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

窒化物半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-331019 Applicant：日亜化学工業株式会社
半導体発光素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-098687 Applicant：株式会社東芝
多色発光素子及びそれを用いた表示装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-325538 Applicant：日亜化学工業株式会社

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