半導体発光素子およびその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：外川英明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998098687
Publication number (International publication number)：1998341039
Application date： Apr. 10, 1998
Publication date： Dec. 22, 1998
Summary：

【要約】【課題】半導体発光素子の高抵抗のP型単結晶表面に設けられ、電気抵抗が低く、かつ、発光素子から発光した光の透過率の良い、P型電極、およびその製造方法を得ること。【解決手段】電極材料として電気抵抗が低く、光透過率の良いマグネシウムないしその酸化物を使用する。更に、マグネシウム膜、酸素を含むマグネシウム膜とチタン等の膜を積層して形成することにより、マグネシウム等の膜形成を安定して行い、経時変化の少ない電極膜を得る。一方、ワイヤボンディング等の為に最小限面積の金を形成する。

Claim (excerpt)：

N型半導体層と、前記N型半導体層上に直接または間接に接合形成されたP型半導体層と、最外層の前記N型半導体層の表面の一部に形成された下部電極と最外層の前記P型半導体層の表面ほぼ全面に形成された第一の薄膜と、前記第一の薄膜上の一部に形成された上部電極とを有し、前記第一の薄膜が酸素を含む金属膜であることを特徴とする半導体発光素子。

FI (2)：

H01L 33/00 E , H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (27)

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-313977 Applicant：豊田合成株式会社, 株式会社豊田中央研究所
3-5族化合物半導体用電極材料
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-073442 Applicant：住友化学工業株式会社
半導体発光装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-229045 Applicant：株式会社東芝

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