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J-GLOBAL ID:200903030643721998

パターン形成材料

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 小島 隆司
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994187744
Publication number (International publication number):1996082932
Application date: Jul. 18, 1994
Publication date: Mar. 26, 1996
Summary:
【要約】【目的】 超LSI等の製造時のパターン形成が安定化してより微細な加工ができ、超LSI等の製造に用いるパターン形成材料として好適なパターン形成材料を得る。【構成】 アルカリ可溶性ポリマーの水酸基の全部又は一部をテトラヒドロピラニル基又はテトラヒドロフラニル基で保護したポリマーをベースポリマーとする化学増幅型パターン形成材料において、アルコール性の水酸基を持つ化合物を脱離助剤として配合する。
Claim (excerpt):
アルカリ可溶性ポリマーの水酸基の全部又は一部をテトラヒドロピラニル基及び/又はテトラヒドロフラニル基で保護したポリマーをベースポリマーとして不活性溶媒に溶解してなる化学増幅型パターン形成材料において、アルコール性の水酸基を持つ化合物を脱離助剤として配合したことを特徴するパターン形成材料。
IPC (3):
G03F 7/039 501 ,  G03F 7/004 503 ,  H01L 21/027
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
  • 感放射線性樹脂組成物
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平4-073169   Applicant:日本合成ゴム株式会社
  • 化学増幅系レジスト組成物
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平4-236927   Applicant:日本合成ゴム株式会社
  • 感放射線性樹脂組成物
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平4-116722   Applicant:日本合成ゴム株式会社
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