Pat
J-GLOBAL ID：200903030904509126
半導体発光素子およびその製造方法
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：
三好 秀和
, 寺山 啓進
, 三好 広之
, 伊藤 市太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008304190
Publication number (International publication number)：2009194365
Application date： Nov. 28, 2008
Publication date： Aug. 27, 2009
Summary：
【課題】外部発光効率の向上した半導体発光素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】基板10と、基板10上に配置された保護膜18と、保護膜18に挟まれた基板10および保護膜18上に配置され,n型不純物をドープされたn型半導体層12と、n型半導体層12上に配置された活性層13と、活性層13上に配置され,p型不純物をドープされたp型半導体層14とを備えることを特徴とする半導体発光素子およびその製造方法。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
基板と、
前記基板上に配置された保護膜と、
前記保護膜に挟まれた前記基板および前記保護膜上に配置され,n型不純物をドープされたn型半導体層と、
前記n型半導体層上に配置された活性層と、
前記活性層上に配置され,p型不純物をドープされたp型半導体層と
を備えることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (1)：
FI (1)：
F-Term (9)：
5F041AA03
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA40
, 5F041CA65
, 5F041CA82
, 5F041CA88
, 5F041CA92
, 5F041CB15
Cited by applicant (2)
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窒化物系化合物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平9-087935
Applicant：松下電子工業株式会社, 杉野隆
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窒化ガリウム系化合物半導体装置
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2002-209295
Applicant：酒井士郎, ナイトライド・セミコンダクター株式会社
Cited by examiner (3)
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