3族窒化物系発光ダイオード

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006066799
Publication number (International publication number)：2007243074
Application date： Mar. 10, 2006
Publication date： Sep. 20, 2007
Summary：

【課題】AlまたはAgからなる反射層を有する3族窒化物系発光ダイオードにおいて、ハンダなどから反射層への望ましくない金属成分の拡散が起こることによって反射層の反射率が低下する問題の発生を防止し、その発光輝度の向上を図ることを目的とする。【解決手段】Al反射層またはAg反射層を含む金属反射膜を備え、更に、金属反射膜とは別個に設けられるボンディング電極と、該ボンディング電極と該金属反射膜との間に設けられる、非金属材料からなる保護膜を有する。この保護膜が、ボンディング電極やそれに接合されるハンダからAl反射層またはAg反射層への、望ましくない金属成分の拡散を防止するので、この3族窒化物系発光ダイオードは発光輝度の優れたものとなる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

活性層を含む3族窒化物系化合物半導体層と、該3族窒化物系化合物半導体層の一方の主面側に設けられたオーミック電極および金属反射膜とを有し、該オーミック電極は該3族窒化物系化合物半導体層とオーミック接触しており、該金属反射膜は該活性層で発生する光を反射する反射面を備えている3族窒化物系発光ダイオードにおいて、該金属反射膜がAl反射層またはAg反射層を含んでおり、該金属反射膜の該反射面とは反対側の面上には非金属材料からなる保護膜が形成されており、該保護膜の上に、該オーミック電極と電気的に接続されたボンディング電極が形成されていることを特徴とする3族窒化物系発光ダイオード。

IPC (1)：

H01L 33/00

FI (1)：

H01L33/00 A

F-Term (6)：

5F041AA03 , 5F041AA44 , 5F041CA05 , 5F041CA40 , 5F041CA65 , 5F041CA74

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-342998 Applicant：松下電工株式会社

Cited by examiner (6)

GaN系発光ダイオードおよび発光装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-064665 Applicant：三菱電線工業株式会社
半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-308075 Applicant：豊田合成株式会社
半導体発光素子及び発光装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-340865 Applicant：三洋電機株式会社

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