Pat
J-GLOBAL ID:200903011626988552

発光ダイオードおよびその製造方法ならびに集積型発光ダイオードおよびその製造方法ならびに発光ダイオードバックライトならびに発光ダイオード照明装置ならびに発光ダイオードディスプレイならびに電子機器ならびに電子装置およびその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 森 幸一
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2006001537
Publication number (International publication number):2007184411
Application date: Jan. 06, 2006
Publication date: Jul. 19, 2007
Summary:
【課題】銀を主成分とする電極を形成する場合に、銀のマイグレーションを実質的に完全に防止することができ、耐環境性に優れた安定で高性能な電極を得ることができ、このため高性能で長寿命かつ高信頼性の発光ダイオードおよびその製造方法を提供する。【解決手段】発光波長の光に対して透明な基板1上にn型窒化物系III-V族化合物半導体層2、活性層3およびp型窒化物系III-V族化合物半導体層4を順次成長させ、p型窒化物系III-V族化合物半導体層4上にAgを主成分とする第1の金属膜6を形成し、この第1の金属膜6を覆うようにPdおよび/またはPtを主成分とする第2の金属膜7を形成してp側電極8を形成する。【選択図】図1
Claim (excerpt):
第1の導電型の第1の半導体層と、 上記第1の半導体層上の活性層と、 上記活性層上の第2の導電型の第2の半導体層と、 上記第1の半導体層と電気的に接続された第1の電極と、 上記第2の半導体層上の、所定形状を有し、銀を主成分とする第1の金属膜とこの第1の金属膜を覆い、パラジウムおよび/または白金を主成分とする第2の金属膜とを含み、上記第2の半導体層と電気的に接続された第2の電極と を有することを特徴とする発光ダイオード。
IPC (2):
H01L 33/00 ,  H01L 21/28
FI (4):
H01L33/00 E ,  H01L33/00 C ,  H01L21/28 301B ,  H01L21/28 301R
F-Term (30):
4M104AA04 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104DD63 ,  4M104DD68 ,  4M104FF13 ,  4M104GG04 ,  4M104HH01 ,  4M104HH02 ,  5F041AA03 ,  5F041AA07 ,  5F041AA12 ,  5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA13 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA73 ,  5F041CA86 ,  5F041DA14 ,  5F041DB08 ,  5F041FF06 ,  5F041FF11 ,  5F041FF16
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1)
  • 発光半導体の方法及び装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願2002-071027   Applicant:ルミレッズライティングユーエスリミテッドライアビリティカンパニー
Cited by examiner (11)
  • 半導体発光素子
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願2003-332037   Applicant:豊田合成株式会社
  • 発光ダイオード
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平4-222627   Applicant:旭化成工業株式会社
  • 発光半導体の方法及び装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願2002-071027   Applicant:ルミレッズライティングユーエスリミテッドライアビリティカンパニー
Show all

Return to Previous Page