Pat
J-GLOBAL ID：200903030930622100
パターン検証方法、パターン検証システム、マスクの製造方法、半導体装置の製造方法
Inventor：
,
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (6)：
鈴江 武彦
, 河野 哲
, 中村 誠
, 蔵田 昌俊
, 村松 貞男
, 橋本 良郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003421349
Publication number (International publication number)：2005181636
Application date： Dec. 18, 2003
Publication date： Jul. 07, 2005
Summary：
【課題】所望パターンとマスクのパターンとを検証し、マスクパターンの変更が必要な場合に設計者に指針を与えること。【解決手段】所望パターンと、前記所望パターンに対応するマスクパターンを用意する工程と、前記所望パターンのエッジに一つ以上の評価点を設定する工程と、前記マスクパターンを基板上に転写/形成し、所望パターンを形成するための一つ以上のプロセスパラメータに対して、それぞれ基準値を設定する工程と、前記各プロセスパラメータに対して、基準値及び変動範囲をそれぞれ設定する工程と、前記各プロセスパラメータの値を前記変動範囲内で変化させた複数の組み合わせで、前記マスクパターンを基板上に転写/形成されるパターンのエッジの、前記評価点からの位置ずれ量をそれぞれ算出する工程と、各評価点について算出された前記位置ずれ量の統計量を算出する工程と、前記統計量に応じて前記マスクパターンを変更するための情報を出力する工程とを含む。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
所望パターンと、前記所望パターンに対応するマスクパターンを用意する工程と、
前記所望パターンのエッジに一つ以上の評価点を設定する工程と、
前記マスクパターンを基板上に転写/形成し、所望パターンを形成するための一つ以上のプロセスパラメータに対して、それぞれ基準値を設定する工程と、
前記各プロセスパラメータに対して、基準値及び変動範囲をそれぞれ設定する工程と、
前記各プロセスパラメータの値を前記変動範囲内で変化させた複数の組み合わせで、前記マスクパターンを基板上に転写/形成されるパターンのエッジの、前記評価点からの位置ずれ量をそれぞれ算出する工程と、
各評価点について算出された前記位置ずれ量の統計量を算出する工程と、
前記統計量に応じて前記マスクパターンを変更するための情報を出力する工程とを含むことを特徴とするパターン検証方法。
IPC (3)：
G03F1/08
, G06F17/50
, H01L21/027
G03F1/08 A
, G06F17/50 658M
, H01L21/30 502P
2H095BA01
, 2H095BB01
, 2H095BB36
, 5B046AA08
, 5B046BA04
, 5B046DA02
, 5B046FA02
, 5B046JA02
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