トランジスタ

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：新居広守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006157776
Publication number (International publication number)：2007329205
Application date： Jun. 06, 2006
Publication date： Dec. 20, 2007
Summary：

【課題】大電流による動作が可能で、かつ、スイッチング速度の速いノーマリーオフ型の、窒化物半導体が用いられたトランジスタを提供する。【解決手段】チャネル領域を構成するアンドープGaN層103と、アンドープGaN層103の上に設けられているアンドープGaN層103よりもバンドギャップが大きいアンドープAl0.2Ga0.8N層104と、アンドープAl0.2Ga0.8N層104の上に設けられ設けられている、p型の導電性を有し、コントロール領域を構成するp型Al0.2Ga0.8Nコントロール層105と、p型Al0.2Ga0.8Nコントロール層105に接しているNiゲート電極110と、p型Al0.2Ga0.8Nコントロール層105の両側方に設けられているTi/Alソース電極108及びTi/Alドレイン電極109と、アンドープGaN層103に接続している正孔排出用電極としてのNiオーミック電極412とを備える。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

チャネル領域を構成する第1の窒化物半導体層と、前記第1の窒化物半導体層の上に設けられている前記第1の窒化物半導体層よりもバンドギャップが大きい第2の窒化物半導体層と、前記第2の窒化物半導体層の上に設けられている、p型の導電性を有し、コントロール領域を構成する第3の窒化物半導体層と、前記コントロール領域に接しているゲート電極と、前記コントロール領域の両側方に設けられているソース電極及びドレイン電極と、前記第1の窒化物半導体層に接続している正孔排出用電極とを備えるトランジスタ。

IPC (3)：

H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812

FI (1)：

H01L29/80 H

F-Term (17)：

5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD04 , 5F102GJ02 , 5F102GJ03 , 5F102GJ04 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GL08 , 5F102GM04 , 5F102GM08 , 5F102GQ01 , 5F102GR00 , 5F102GR01 , 5F102GR07 , 5F102GV08

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-058021 Applicant：三菱電機株式会社

Cited by examiner (5)

半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-054330 Applicant：株式会社東芝
電界効果トランジスタおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-023943 Applicant：日本電信電話株式会社
化合物電界効果トランジスタおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-154276 Applicant：松下電器産業株式会社

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