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J-GLOBAL ID：200903031127029197

加工寸法測定方法、半導体装置の製造方法および品質管理方法

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Inventor： 有本 宏
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 伊東 忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996306873
Publication number (International publication number)：1997237812
Application date： Nov. 18, 1996
Publication date： Sep. 09, 1997
Summary：

【要約】【課題】 エリプソメトリを使い、ウェハ上に形成されたパターンの横方向への寸法を、非接触かつ非破壊に、しかも高速に求める加工物寸法測定工程を含み、求められた寸法にもとづいて半導体装置の製造プロセスを制御する。【解決手段】 ウェハ上に形成された、寸法が確認されている較正パターンについて、偏光状態パラメータを求めてデータベースを作成し、測定試料の偏光パラメータにもとづいてデータベースを検索し、寸法を求める。

Claim (excerpt)：

平坦な表面を有する基板上に形成された構造物の寸法を測定する工程を含む半導体装置の製造方法において、前記構造物に、前記基板表面に対して所定の角度で、偏光した入射光ビームを入射させる照明工程と;前記入射光ビームが入射した前記構造物から出射する出射光ビームの偏光状態を測定する測定工程と;前記構造物の、前記基板表面に平行な方向への寸法を、前記偏光状態から求める評価工程とを含み;前記求められた寸法に基づいて、半導体装置の製造パラメータを調整することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/66 ,  G01B 11/02 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/3065

FI (6)：

H01L 21/66 J ,  H01L 21/66 P ,  H01L 21/66 Z ,  G01B 11/02 Z ,  H01L 21/02 Z ,  H01L 21/302 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平2-030112
  
• パターン形成状態検出装置及びそれを用いた投影露光装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-139610   Applicant：キヤノン株式会社