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J-GLOBAL ID：200903031291754960

レーザを用いて波長より小さなピッチで穴を開けるための方法および装置

Inventor：
シンビン リュウ

About シンビン リュウ

, 
ミン リ

About ミン リ


Applicant, Patent owner：
松下電器産業株式会社

About 松下電器産業株式会社


Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000391084
Publication number (International publication number)：2002018585
Application date： Dec. 22, 2000
Publication date： Jan. 22, 2002
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】 レーザの波長よりも小さなピッチの複数の穴をあけることのできるレーザ加工方法を提供する。【解決手段】 材料上にあけるべき複数の穴を、2つのグループに分ける。第1グループは、その穴間隔をレーザ加工に伴う硬化領域を越えて設定する。第2グループは、第1グループの穴から硬化領域を超えない範囲に設定する。第1グループの穴を所定のエネルギーレベル或いはパルス数に設定したレーザを用いてあけ、次に硬化された材料のアブレーション闘値より高いエネルギーレベルにまでレーザービーム強度を増大し、これにより第2グループの穴をあける。
Claim (excerpt)：
超高速パルスレーザビームを用いて、材料に複数の穴を開ける方法であって、a)該レーザビームのパルスエネルギーを第1の所定レベルに設定する工程であって、該第1の所定レベルが、該レーザビームの穿孔部分内に該材料のアブレーション閾値よりも高い強度を提供するように選択される、工程と、b)該材料の表面の複数の第1の位置のうちの1つに該レーザビームを集束させるように、該材料を配置する工程と、c)該レーザビームの多数のパルスを当てて該表面をアブレートすることにより、該表面に該複数の穴のうちの1つを形成する工程と、d)該表面の該複数の第1の位置の全てが該複数の穴のうちの1つを有するまで該工程b)およびc)を繰り返す工程と、e)該レーザビームの該パルスエネルギーを第2の所定レベルに設定する工程であって、該第2の所定レベルが、該レーザビームの該穿孔部分内に該材料のレーザ硬化アブレーション閾値よりも高い強度を提供するように選択される、工程と、f)該表面の少なくとも1つの第2の位置のうちの1つに該レーザビームを集束させるように、該材料を配置する工程であって、該1つの第2の位置が、該複数の第1の位置のうちの隣接する2つの間にある、工程と、g)該レーザビームの多数のパルスを当てて該表面をアブレートすることにより、該表面に該複数の穴のうちの1つを形成する工程と、を包含する方法。
IPC (5)：
B23K 26/00 330 ,  B23K 26/00 ,  B23K 26/02 ,  B23K 26/06 ,  B82B 3/00
FI (5)：
B23K 26/00 330 ,  B23K 26/00 N ,  B23K 26/02 A ,  B23K 26/06 E ,  B82B 3/00
F-Term (7)：
4E068AF01 ,  4E068CA02 ,  4E068CA03 ,  4E068CA14 ,  4E068CD05 ,  4E068CD14 ,  4E068CK01
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (5)
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Cited by examiner (5)
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