レーザアニール方法および薄膜トランジスタの製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000148393
Publication number (International publication number)：2001332493
Application date： May. 19, 2000
Publication date： Nov. 30, 2001
Summary：

【要約】【目的】液晶ディスプレイの画素スイッチ用いられる薄膜トランジスタ装置向けの多結晶シリコンを、歩留まりよく量産する装置および製造方法を提供する。【解決手段】ガラス基板上に非晶質シリコン半導体薄膜を堆積したガラス基板を移動ながらパルスレーザビームを照射することによって、多結晶シリコン半導体を生成するレーザアニール装置および薄膜トランジスタの製造方法において、ガラス基板O上に照射されるレーザビームLの断面ビーム形状が矩形であり、その長手方向の中心線を、移動されるガラス基板の画素に対応する領域が配列されて定義される直線に対して角度θだけ傾けることにより、粒径の均一な多結晶シリコンを得ることができる。

Claim (excerpt)：

非晶質シリコン半導体薄膜を堆積したガラス基板を一定方向に移動させながらパルスレーザビームを照射することによって、非晶質シリコン半導体を、多結晶シリコン半導体に変移させるレーザアニール方法において、前記非晶質シリコン薄膜に照射されるレーザビームの形状が矩形であり、その長手方向の中心線を、前記ガラス基板の前記非晶質シリコン半導体が多結晶シリコン半導体に変移された後の画素に対応する領域が配列されて定義される直線に対して、角度θ傾けて前記レーザビームを照射することを特徴とするレーザアニール方法。

IPC (5)：

H01L 21/20 , G02F 1/1368 , G09F 9/00 338 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (4)：

H01L 21/20 , G09F 9/00 338 , G02F 1/136 500 , H01L 29/78 627 G

F-Term (49)：

2H092JA24 , 2H092KA04 , 2H092KA07 , 2H092MA30 , 2H092MA35 , 2H092NA24 , 2H092NA29 , 2H092PA08 , 5F052AA02 , 5F052BA04 , 5F052BA12 , 5F052BB07 , 5F052CA04 , 5F052CA07 , 5F052DA02 , 5F052DB03 , 5F052JA01 , 5F110AA01 , 5F110BB01 , 5F110CC01 , 5F110DD02 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD17 , 5F110EE04 , 5F110EE44 , 5F110FF02 , 5F110FF29 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG25 , 5F110GG45 , 5F110HL03 , 5F110HL07 , 5F110HL23 , 5F110NN02 , 5F110NN72 , 5F110PP03 , 5F110PP04 , 5F110PP05 , 5F110PP06 , 5F110PP35 , 5G435AA00 , 5G435AA14 , 5G435AA17 , 5G435BB12 , 5G435EE33 , 5G435KK05 , 5G435KK10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-044909 Applicant：ソニー株式会社
特開平1-276621
半導体装置の作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-093369 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所

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