プラズマCVDによる成膜方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：田宮寛祉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999034925
Publication number (International publication number)：2000234174
Application date： Feb. 12, 1999
Publication date： Aug. 29, 2000
Summary：

【要約】【課題】 TiCl4 を原料としたプラズマCVDによってチタン膜等を成膜するとき、反応容器内の低温部の付着膜が原因となる搬送室や前処理室および基板へのCl汚染を防止し、信頼性の高い素子を製造する。【解決手段】基板28を収容した反応容器21に例えば四塩化チタンと水素を導入してプラズマを生成し、基板上にチタン膜等を形成するプラズマCVDによる成膜方法であり、チタン膜等を形成する成膜工程に続いて、窒素と水素を含むガスを反応容器に導入して放電を生成し、基板以外の反応容器内の低温部に付着した膜を窒化し、膜中の塩素を除く窒化処理ステップ13を設けるようにした。

Claim (excerpt)：

基板を収容した反応容器に四塩化チタンと水素を導入してプラズマを生成し、前記基板上にチタン膜を形成するプラズマCVDによる成膜方法において、前記チタン膜を形成する成膜工程に続いて、窒素と水素を含むガスを前記反応容器に導入して放電を生成し、前記基板以外の前記反応容器内の低温部に付着した膜を窒化し、前記膜中の塩素を除く窒化処理工程を設けたことを特徴としたプラズマCVDによる成膜方法。

IPC (3)：

C23C 16/56 , C23C 16/505 , H01L 21/285

FI (3)：

C23C 16/56 , C23C 16/50 B , H01L 21/285 C

F-Term (11)：

4K030AA03 , 4K030BA18 , 4K030DA08 , 4K030FA03 , 4M104BB14 , 4M104BB25 , 4M104BB30 , 4M104DD44 , 4M104DD45 , 4M104FF17 , 4M104FF18

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

プラズマCVDによる薄膜形成方法およびプラズマCVD装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-168180 Applicant：アネルバ株式会社
プラズマCVD法および半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-262784 Applicant：日本電信電話株式会社
CVD-Ti成膜チャンバーのクリーニング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-101199 Applicant：東京エレクトロン株式会社

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