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J-GLOBAL ID：200903031834357460

半導体デバイス用マスク、および露光方法

Inventor：
山口 隆久

About 山口 隆久


Applicant, Patent owner：
川崎マイクロエレクトロニクス株式会社

About 川崎マイクロエレクトロニクス株式会社


Agent (2)： 小杉 佳男 ,  山田 正紀
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002322934
Publication number (International publication number)：2004157327
Application date： Nov. 06, 2002
Publication date： Jun. 03, 2004
Summary：
【課題】欠けチップの発生を防止し、また、デフォーカスの発生を防止することが可能な半導体装置用マスクおよび露光方法を提供することを目的とする。【解決手段】ウエハの中央部および周辺部に、適切な個数のデバイスパターンが配置されたマスク領域を投影するショット領域割り付けを行い、投影すべき領域以外を遮光して露光を行う。縦横それぞれ複数のデバイスパターン2が配列された中央領域101の外側に複数の周辺領域102〜109が、遮光帯で分離されて配置されたマスクを利用し、ウエハの中央部および周辺部のそれぞれに適切な領域を投影するショット領域割り付けを行って、露光を行う。【選択図】図5
Claim (excerpt)：
同一の複数のデバイスパターンを有し、該デバイスパターンを投影露光装置のウエハステージ上に載置されたウエハに投影することにより該ウエハを露光する半導体デバイス用マスクであって、 縦横それぞれ複数のデバイスパターンが配列された中央領域と、前記中央領域の外側に配置され、前記デバイスパターンが少なくとも1つ配置された複数の周辺領域と、前記中央領域と該中央領域に隣接する周辺領域との間および隣接する周辺領域相互の間に配置され、照射される光を遮ることにより領域相互を画する遮光帯とを有することを特徴とする半導体デバイス用マスク。
IPC (3)：
G03F1/08 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027
FI (4)：
G03F1/08 D ,  G03F7/20 521 ,  H01L21/30 502P ,  H01L21/30 514B
F-Term (7)：
2H095BB02 ,  2H095BB33 ,  2H095BB36 ,  5F046AA25 ,  5F046BA04 ,  5F046BA05 ,  5F046CC14
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (9)
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Cited by examiner (10)
  • 半導体製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-132555   Applicant：インフィニオンテクノロジーズノースアメリカコーポレイション, インターナショナルビジネスマシーンズコーポレーション
  • 特開昭64-038747
  • 露光装置及びデバイス製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-297798   Applicant：株式会社ニコン
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