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J-GLOBAL ID：200903031951206553

窒化物半導体、窒化物半導体基板、窒化物半導体素子及びそれらの製造方法

Inventor：
成田 准也

About 成田 准也

, 
福家 克彦

About 福家 克彦

, 
藤川 守生

About 藤川 守生


Applicant, Patent owner：
日亜化学工業株式会社

About 日亜化学工業株式会社


Agent (2)： 豊栖 康弘 ,  石井 久夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004142948
Publication number (International publication number)：2005327821
Application date： May. 12, 2004
Publication date： Nov. 24, 2005
Summary：
【課題】 歪みが少なく、かつ、ウエハ全面に渡って低転位密度である窒化物半導体の成長方法を提供すること【解決手段】異種基板10表面の周期配列された複数の特定領域Bから選択的に、発生した転位の略半数以上が特定領域B内で異種基板10表面に平行な横方向に進行するように、第1窒化物半導体14を成長させ、第1窒化物半導体14から、第1窒化物半導体と同一又は異なる組成の第2窒化物半導体16を成長させて異種基板10の略全面を覆い、表面における転位密度が略全面に渡って107cm-2以下である窒化物半導体を得る。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
窒化物半導体と組成が異なる異種基板上に窒化物半導体を成長させる方法であって、 前記異種基板表面の周期配列された複数の特定領域から選択的に、発生した転位の略半数以上が前記特定領域内で前記異種基板表面に平行な横方向に進行するように、第1窒化物半導体を成長させ、 前記第1窒化物半導体から、前記第1窒化物半導体と同一又は異なる組成の第2窒化物半導体を成長させて前記異種基板の略全面を覆い、 表面における転位密度が略全面に渡って107cm-2以下である窒化物半導体を得ることを特徴とする窒化物半導体の成長方法。
IPC (3)：
H01L21/205 ,  H01L33/00 ,  H01S5/343
FI (3)：
H01L21/205 ,  H01L33/00 C ,  H01S5/343 610
F-Term (27)：
5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA66 ,  5F045AA04 ,  5F045AA08 ,  5F045AB14 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD07 ,  5F045AD09 ,  5F045AD15 ,  5F045AE19 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045AF14 ,  5F045AF20 ,  5F045DA53 ,  5F045DA67 ,  5F045HA03 ,  5F173AA05 ,  5F173AH22 ,  5F173AP05 ,  5F173AP20
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (3)

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