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J-GLOBAL ID：200903032146717653

磁気トンネル接合素子構造と磁気トンネル接合素子構造の製造方法

Inventor： サン、ジジュン ,  デイブ、レニュ ダブリュ. ,  スローター、ジョン エム. ,  アッカーマン、ジョアン
Applicant, Patent owner： フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド
Agent (1)： 桑垣 衛
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2007523558
Publication number (International publication number)：2008507854
Application date： Jun. 16, 2005
Publication date： Mar. 13, 2008
Summary：

磁気トンネル接合(MTJ)素子構造とMTJ素子構造の製造方法とが提供される。MTJ素子構造(10)は、結晶質ピン層(26)、非晶質固定層(30)、および前記結晶質ピン層と前記非晶質固定層の間に配置された結合層(28)を含み得る。非晶質固定層(30)は結晶質ピン層(26)に反強磁性的に結合される。前記MTJ素子は更に、自由層(34)と、前記非晶質固定層と前記自由層の間に配置されたトンネル障壁層(32)を含む。別のMTJ素子構造(60)は、ピン層(26)、固定層(30)、およびそれらの間に配置された非磁性結合層(28)を含み得る。固定層(30)と自由層(34)の間にトンネル障壁層(32)が配置される。トンネル障壁層(32)と非晶質材料層(30)に隣接してインタフェース層(62)が配置される。第1インタフェース層(62)は、非晶質材料(30)のスピン偏極よりも大きいスピン偏極を有する材料で構成される。

Claim (excerpt)：

結晶質ピン強磁性層と、非晶質固定強磁性層と、前記結晶質ピン強磁性層と前記非晶質固定強磁性層の間に配置された非磁性結合層とを含み、前記非晶質固定強磁性層は前記結晶質ピン強磁性層に反強磁性的に結合された合成反強磁性体ピン構造と、 自由強磁性層を含む第1電極スタックと、 前記合成反強磁性体ピン構造と前記第1電極スタックとの間に配置されたトンネル障壁層と を備えたことを特徴とする磁気トンネル接合素子。

IPC (8)：

H01L 43/08 ,  H01L 43/12 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  G11B 5/39 ,  G01R 33/09 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/32

FI (7)：

H01L43/08 Z ,  H01L43/12 ,  H01L27/10 447 ,  G11B5/39 ,  G01R33/06 R ,  H01F10/16 ,  H01F10/32

F-Term (42)：

2G017AA10 ,  2G017AD55 ,  2G017AD61 ,  2G017AD62 ,  2G017AD63 ,  2G017AD65 ,  4M119BB01 ,  4M119DD05 ,  4M119DD06 ,  4M119DD07 ,  4M119DD09 ,  5D034BA03 ,  5D034BA05 ,  5D034BA06 ,  5D034DA07 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AC05 ,  5E049BA06 ,  5F092AA11 ,  5F092AA15 ,  5F092AB01 ,  5F092AB02 ,  5F092AB06 ,  5F092AC12 ,  5F092BB09 ,  5F092BB10 ,  5F092BB17 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB35 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB55 ,  5F092BC04 ,  5F092BC07 ,  5F092BC08 ,  5F092BC13 ,  5F092BC18 ,  5F092BC19 ,  5F092BE03 ,  5F092BE06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

• 磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-226520   Applicant：ソニー株式会社
• 磁場応答が改良された磁気素子とその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-317501   Applicant：モトローラ・インコーポレイテッド
• トンネル磁気抵抗効果素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-107610   Applicant：松下電器産業株式会社
• 磁気抵抗効果素子およびその製造方法並びに磁気メモリ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-179405   Applicant：ソニー株式会社
• 磁気抵抗素子のための強磁性層
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-368393   Applicant：ヒューレット-パッカードデベロップメントカンパニーエル.ピー.
• トンネル磁気抵抗効果素子、及びトンネル磁気抵抗効果型磁気ヘッド
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-160977   Applicant：ソニー株式会社
• 磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-230367   Applicant：ソニー株式会社
• 磁気抵抗効果素子およびこれを用いた磁気メモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-089027   Applicant：株式会社東芝
• スピントンネル磁気抵抗効果膜及び素子及びそれを用いた磁気抵抗センサー、及び磁気装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-399868   Applicant：日本電気株式会社