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J-GLOBAL ID：200903032211855937

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 山内 経則 ,  金田 寛 ,  本間 一弘
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 北野 好人 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000361526
Publication number (International publication number)：2002164512
Application date： Nov. 28, 2000
Publication date： Jun. 07, 2002
Summary：

【要約】【課題】 簡便な工程で、Qの高いインダクタを形成することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 比抵抗800Ωcm以上、酸素濃度5×1017cm-3以下のシリコン基板10と、シリコン基板に形成されたインダクタ32bとを有している。

Claim (excerpt)：

比抵抗800Ωcm以上、酸素濃度5×1017cm-3以下のシリコン基板と、前記シリコン基板に形成されたインダクタとを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (5)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/322 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092

FI (4)：

H01L 21/322 M ,  H01L 21/322 P ,  H01L 27/04 L ,  H01L 27/08 321 B

F-Term (22)：

5F038AV06 ,  5F038AZ04 ,  5F038EZ01 ,  5F038EZ06 ,  5F038EZ11 ,  5F038EZ13 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ17 ,  5F038EZ18 ,  5F038EZ20 ,  5F048AA04 ,  5F048AA09 ,  5F048AC10 ,  5F048BA00 ,  5F048BA01 ,  5F048BA07 ,  5F048BA12 ,  5F048BA16 ,  5F048BB07 ,  5F048BE03 ,  5F048BG12 ,  5F048BH07

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 半導体装置及び半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-067375   Applicant：株式会社東芝
• 磁気素子を搭載した集積回路
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-263316   Applicant：神奈川県, 科学技術振興事業団
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-273132   Applicant：日本電気株式会社
• 高耐圧半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-256562   Applicant：ローム株式会社
• 半導体集積回路
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-257100   Applicant：三洋電機株式会社