低歪スイッチ

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小川勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994203190
Publication number (International publication number)：1996070245
Application date： Aug. 29, 1994
Publication date： Mar. 12, 1996
Summary：

【要約】【目的】低電圧動作可能な低歪特性を持つ高周波スイッチを実現することを目的とする。【構成】 FETで構成したSPDTスイッチにおいて、受信側の通過用FET2と送信側の接地用FET4をデュアルゲートFETで構成し、第1ゲートとソース間、第2ゲートとドレイン間に容量を接続する。【効果】本発明により容易に低電圧で低歪特性を持つ高周波スイッチを実現することが出来る。本発明を試作したところ、入出力特性の1つの指標である1dB抑圧レベルが従来のスイッチに比べ入力レベルで5dB以上改善された。

Claim (excerpt)：

2つ以上の複数のゲート電極をもつFET(電界効果トランジスタ)に於いて、ドレイン電極に隣接するゲートとドレイン間に容量を接続し、ソース電極に隣接するゲートとソース間に容量を接続し、各ゲートに独立した抵抗を介して直流電圧を印加することを特徴とする半導体回路。

IPC (4)：

H03K 17/687 , H01P 1/15 , H03K 17/16 , H03K 17/693

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

FETスイッチ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-302392 Applicant：三洋電機株式会社
高周波スイッチ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-160127 Applicant：三菱電機株式会社
高周波スイッチ回路
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-008490 Applicant：シャープ株式会社

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