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J-GLOBAL ID：200903032669639770

半導体装置および半導体装置の製造方法

Inventor： 中村 俊二 ,  倉橋 輝雄
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 伊東 忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002328234
Publication number (International publication number)：2004165346
Application date： Nov. 12, 2002
Publication date： Jun. 10, 2004
Summary：

【課題】低抵抗で、動作バランスのとれたデュアルゲート構造を有する半導体装置を提供する。【解決手段】デュアルゲート構造を有する半導体装置は、半導体基板と、この半導体基板上に形成され第1のゲート電極と第1の導電型のチャネル拡散領域とを有する第1トランジスタと、半導体基板上に形成され第2のゲート電極と第2の導電型のチャネル拡散領域とを有するび第2トランジスタとを備え、第1または第2のゲート電極の少なくとも一方は、仕事関数調整メタルを含有する置換メタル材で構成され、前記仕事関数調整メタルを含有する置換メタル材は、対応するトランジスタが他方のトランジスタのしきい値電圧とほぼ対称なしきい値電圧で動作し得る仕事関数を有する。【選択図】 図4

Claim (excerpt)：

半導体基板と、 前記半導体基板上に形成され、第1のゲート電極と、第1の導電型のチャネル拡散領域を有する第1トランジスタと、 前記半導体基板上に形成され、第2のゲート電極と、第2の導電型のチャネル拡散領域を有する第2トランジスタと を備え、前記第1または第2のゲート電極の少なくとも一方は、仕事関数調整メタルを含有する置換メタル材で構成され、前記仕事関数調整メタルを含有する置換メタル材は、対応するトランジスタのしきい値電圧が、他方のトランジスタのしきい値電圧とほぼ対称となるような仕事関数を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (7)：

H01L21/8238 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78

FI (4)：

H01L27/08 321D ,  H01L27/08 102C ,  H01L29/58 G ,  H01L29/78 301G

F-Term (76)：

4M104AA01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB14 ,  4M104BB20 ,  4M104BB21 ,  4M104BB22 ,  4M104BB26 ,  4M104BB39 ,  4M104CC05 ,  4M104DD78 ,  4M104DD83 ,  4M104DD84 ,  4M104FF17 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  4M104GG10 ,  5F048AA07 ,  5F048AC01 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BA16 ,  5F048BB04 ,  5F048BB06 ,  5F048BB07 ,  5F048BB08 ,  5F048BB09 ,  5F048BB10 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BB14 ,  5F048BB16 ,  5F048BC06 ,  5F048BE03 ,  5F048BF02 ,  5F048BF11 ,  5F048BF16 ,  5F048BG14 ,  5F048DA25 ,  5F140AA01 ,  5F140AA06 ,  5F140AA39 ,  5F140AB03 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BD05 ,  5F140BD07 ,  5F140BD11 ,  5F140BE07 ,  5F140BE08 ,  5F140BE10 ,  5F140BF01 ,  5F140BF05 ,  5F140BF06 ,  5F140BF08 ,  5F140BF32 ,  5F140BG04 ,  5F140BG26 ,  5F140BG31 ,  5F140BG33 ,  5F140BG34 ,  5F140BG40 ,  5F140BG44 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BJ07 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ20 ,  5F140BJ27 ,  5F140BK02 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140CB04 ,  5F140CB08 ,  5F140CE07 ,  5F140CE08 ,  5F140CE16

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 置換ゲート構造を有するトランジスタの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-368146   Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
• 半導体素子用導電材料及びスパッタリングターゲット並びにその製造法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-144810   Applicant：出光興産株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-081866   Applicant：三洋電機株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-124405   Applicant：株式会社東芝
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-112206   Applicant：ソニー株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-031927   Applicant：ソニー株式会社