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J-GLOBAL ID：200903033031204764

トレンチ二重拡散金属酸化膜半導体セル

Inventor： フシエフ、フュー-イウアン ,  ソー、クーン、チョング ,  ツイ、ヤン、マン
Applicant, Patent owner： ゼネラル セミコンダクター,インク.
Agent (3)： 小池 晃 ,  田村 榮一 ,  伊賀 誠司
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2002531496
Publication number (International publication number)：2004525500
Application date： Sep. 19, 2001
Publication date： Aug. 19, 2004
Summary：

トレンチ二重拡散金属酸化膜半導体トランジスタセルは、第1の伝導性タイプを有する基板と、基板に形成された、第2の伝導性タイプを有するボディ領域とを備える。ボディ領域及び基板には、少なくとも1つのトレンチが形成されている。トレンチの内壁には、絶縁層が形成されており、絶縁層上には、導電性電極が形成されている。トレンチに隣接するボディ領域の一部には、第1の伝導性タイプを有するソース領域が形成されている。ソース領域は、第1の層と、第1の層上に形成された第2の層とを備える。第1の層は、第2の層より、不純物濃度が低くなるように、不純物がドープされている。

Claim (excerpt)：

第1の伝導性タイプを有する基板と、 上記基板に形成された、第2の伝導性タイプを有するボディ領域と、 上記ボディ領域及び基板に形成された少なくとも1つのトレンチと、 上記トレンチの内壁に形成された絶縁層と、 上記トレンチ内において、絶縁層上に設けられた導電性電極と、 上記トレンチに隣接する上記ボディ領域の一部に形成された第1の伝導性タイプを有するソース領域であって、第1の層と、該第1の層上に形成され、該第1の層より不純物濃度が高い第2の層とを有するソース領域とを備えるトレンチ二重拡散金属酸化膜半導体トランジスタセル。

IPC (1)：

H01L29/78

FI (2)：

H01L29/78 653A ,  H01L29/78 652B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

• 特開平3-195064
  
• 埋め込みゲートを有するMOSゲート装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-044636   Applicant：インターシルコーポレーション
• 縦型電界効果トランジスタ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-254671   Applicant：日本電気株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-262159   Applicant：三洋電機株式会社
• 半導体装置およびその製造方法。
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-286912   Applicant：セイコーインスツルメンツ株式会社
• 縦形MOSトランジスタ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-080755   Applicant：セイコーインスツルメンツ株式会社
• 特開平4-212469
  
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-200470   Applicant：株式会社東芝