半導体装置およびその製造方法、ならびに金属化合物薄膜の製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (2)：森下賢樹 , 速水進治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003083687
Publication number (International publication number)：2004296536
Application date： Mar. 25, 2003
Publication date： Oct. 21, 2004
Summary：

【課題】高誘電体ゲート絶縁膜を備えるトランジスタにおいて、ゲート絶縁膜中における酸素や金属元素の拡散を抑制し、素子の信頼性を向上させる。【解決手段】高誘電体ゲート絶縁膜106を、シリコン基板102側から、窒素高濃度層、窒素低濃度層および窒素高濃度層がこの順で積層した構造とする。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

半導体基板と、該半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、を備え、前記ゲート絶縁膜は、層中に窒素原子が熱拡散してなる複数の含窒素金属化合物層を含む積層膜であることを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L29/78 , H01L21/318

FI (2)：

H01L29/78 301G , H01L21/318 C

F-Term (30)：

5F058BA05 , 5F058BD02 , 5F058BD18 , 5F058BF02 , 5F058BF24 , 5F058BF29 , 5F058BF55 , 5F058BF64 , 5F058BJ04 , 5F140AA02 , 5F140AA24 , 5F140AA28 , 5F140AA39 , 5F140BA01 , 5F140BD02 , 5F140BD04 , 5F140BD07 , 5F140BD11 , 5F140BD13 , 5F140BD15 , 5F140BD16 , 5F140BD17 , 5F140BE09 , 5F140BE16 , 5F140BE17 , 5F140BE19 , 5F140BG08 , 5F140BG52 , 5F140BK13 , 5F140CB04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-395734 Applicant：松下電器産業株式会社
Si(111)上にゲ-ト誘電体用の極薄結晶質シリコン窒化物を生成する方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-074728 Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
半導体装置およびMIS型電界効果トランジスタの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-115709 Applicant：株式会社東芝

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

Improved Current Performance of CMOSFETs with Nitrogen Incorporated HfO2-Al2O3 Laminate Gate Dielect

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