電界効果型トランジスタ

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：野河信太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003399801
Publication number (International publication number)：2005166713
Application date： Nov. 28, 2003
Publication date： Jun. 23, 2005
Summary：

【課題】チャネル層に有機物半導体層を備え、ドレイン電流、オンオフ比および閾値電圧等のトランジスタ特性を改善した電界効果型トランジスタを提供すること。【課題手段】ゲート電極と、ソース電極と、ドレイン電極と、ソース電極とドレイン電極の間に形成されるチャネル領域に配置された有機物半導体層とを有し、前記有機物半導体層が、ソース電極とドレイン電極を結ぶ平面方向に膜面を持つ薄膜であり、前記ゲート電極が、少なくとも2方向から有機物半導体層を覆うように配置されたことを特徴とする電界効果型トランジスタ。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

ゲート電極と、ソース電極と、ドレイン電極と、前記ソース電極とドレイン電極の間に形成されるチャネル領域に配置された有機物半導体層とを備え、前記有機物半導体層が、ソース電極とドレイン電極を結ぶ平面方向に膜面を持つ薄膜であり、前記ゲート電極が、少なくとも2方向から有機物半導体層を覆うように配置されたことを特徴とする電界効果型トランジスタ。

IPC (2)：

H01L29/786 , H01L51/00

FI (4)：

H01L29/78 618B , H01L29/78 617K , H01L29/78 617N , H01L29/28

F-Term (33)：

5F110AA05 , 5F110AA07 , 5F110AA08 , 5F110BB01 , 5F110BB03 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE08 , 5F110EE22 , 5F110EE29 , 5F110EE30 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF27 , 5F110GG05 , 5F110GG25 , 5F110GG26 , 5F110GG28 , 5F110GG42 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK21 , 5F110HK32 , 5F110QQ14

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

有機回路の作製プロセス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-090010 Applicant：ルーセントテクノロジーズインコーポレーテッド

Cited by examiner (8)

有機半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-272234 Applicant：セイコーエプソン株式会社
有機半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-049466 Applicant：セイコーエプソン株式会社
特開平3-084963

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