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J-GLOBAL ID:200903033701370091
疎水性煙霧シリカ及びその製造方法
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999060699
Publication number (International publication number):2000256008
Application date: Mar. 08, 1999
Publication date: Sep. 19, 2000
Summary:
【要約】【課題】シリコーン樹脂等に添加した際、樹脂の透明性を損なわず、粘度を低く維持できる疎水性煙霧シリカ。【解決手段】表面が有機珪素化合物により疎水化されてなり、80〜300g/lの嵩密度を有し、単位表面積あたりのOH基が0.5個/nm2以下であり、且つ粒子径45μm以上の凝集粒子が2000ppm以下であることを特徴とする疎水性煙霧シリカ。
Claim (excerpt):
表面が有機珪素化合物により疎水化されてなり、80〜300g/lの嵩密度を有し、単位表面積あたりのOH基が0.5個/nm2以下であり、且つ粒子径45μm以上の凝集粒子が2000ppm以下であることを特徴とする疎水性煙霧シリカ。
IPC (4):
C01B 33/159
, C08K 3/36
, C08K 9/06
, C08L 83/04
FI (4):
C01B 33/159
, C08K 3/36
, C08K 9/06
, C08L 83/04
F-Term (24):
4G072AA25
, 4G072BB05
, 4G072BB13
, 4G072CC16
, 4G072DD02
, 4G072DD03
, 4G072DD04
, 4G072DD05
, 4G072DD06
, 4G072DD07
, 4G072GG03
, 4G072HH19
, 4G072JJ47
, 4G072TT01
, 4G072TT04
, 4G072TT30
, 4G072UU09
, 4J002CP001
, 4J002DJ016
, 4J002FB096
, 4J002FB116
, 4J002FB146
, 4J002FB266
, 4J002FD016
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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