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J-GLOBAL ID:200903033701370091

疎水性煙霧シリカ及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999060699
Publication number (International publication number):2000256008
Application date: Mar. 08, 1999
Publication date: Sep. 19, 2000
Summary:
【要約】【課題】シリコーン樹脂等に添加した際、樹脂の透明性を損なわず、粘度を低く維持できる疎水性煙霧シリカ。【解決手段】表面が有機珪素化合物により疎水化されてなり、80〜300g/lの嵩密度を有し、単位表面積あたりのOH基が0.5個/nm2以下であり、且つ粒子径45μm以上の凝集粒子が2000ppm以下であることを特徴とする疎水性煙霧シリカ。
Claim (excerpt):
表面が有機珪素化合物により疎水化されてなり、80〜300g/lの嵩密度を有し、単位表面積あたりのOH基が0.5個/nm2以下であり、且つ粒子径45μm以上の凝集粒子が2000ppm以下であることを特徴とする疎水性煙霧シリカ。
IPC (4):
C01B 33/159 ,  C08K 3/36 ,  C08K 9/06 ,  C08L 83/04
FI (4):
C01B 33/159 ,  C08K 3/36 ,  C08K 9/06 ,  C08L 83/04
F-Term (24):
4G072AA25 ,  4G072BB05 ,  4G072BB13 ,  4G072CC16 ,  4G072DD02 ,  4G072DD03 ,  4G072DD04 ,  4G072DD05 ,  4G072DD06 ,  4G072DD07 ,  4G072GG03 ,  4G072HH19 ,  4G072JJ47 ,  4G072TT01 ,  4G072TT04 ,  4G072TT30 ,  4G072UU09 ,  4J002CP001 ,  4J002DJ016 ,  4J002FB096 ,  4J002FB116 ,  4J002FB146 ,  4J002FB266 ,  4J002FD016
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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