半導体の障壁層の製造方法及び障壁層を備えた半導体素子

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：神戸正雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998196555
Publication number (International publication number)：1999087643
Application date： Jun. 26, 1998
Publication date： Mar. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】簡単にして信頼性の高い方法により接点プラグ上に障壁層を生成する。【解決手段】接点プラグ(16)の酸化を回避すべく半導体(10)の接点プラグ(16)上に障壁層(28;30a)を配置する。予構造化金属遷移材料(30)と少なくとも1つの反応対象(32)との化学反応によって障壁層(28;30a)を生成する。

Claim (excerpt)：

半導体に配置され、かつ少なくともほぼ半導体の主要面にまで達する接点プラグ上での障壁層の製造方法において、障壁層(28;30a)が、予構造化された金属遷移材料(30)と少なくとも1つの反応対象(32)との化学反応によって形成されることを特徴とする方法。

IPC (2)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

半導体素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-202284 Applicant：沖電気工業株式会社
特開昭63-003436
配線の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-155528 Applicant：ソニー株式会社

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