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J-GLOBAL ID：200903034167157022

全反射減衰を利用したセンサーおよび測定チップ

Inventor：
森 信文

About 森 信文


Applicant, Patent owner：
富士写真フイルム株式会社

About 富士写真フイルム株式会社


Agent (2)： 柳田 征史 ,  佐久間 剛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002186632
Publication number (International publication number)：2004028832
Application date： Jun. 26, 2002
Publication date： Jan. 29, 2004
Summary：
【課題】センシング物質と試料中の特定物質との結合状態を測定する全反射減衰を利用したセンサーにおいて、結合した結合特定物質の回収量を増加させる。【解決手段】光ビーム20を、試料液15が供給された測定チップ10の誘電体ブロック11と薄膜層12との界面12aに対して種々の入射角が得られるように入射させ、界面12aで全反射した光ビーム20を光検出器23により検出して、ウェル部16内のセンシング物質17と試料液15中の特定物質との結合状態を測定する。ウェル部16の底面の薄膜層12に加え、側面にも薄膜層14を設け、各薄膜層上にセンシング物質17を固定する。底面の薄膜層12のみが設けられている従来のセンサーに比べて、センシング物質17が固定されている面積が大きく、多くの特定物質がセンシング物質17と結合する。このため結合状態を測定後、脱離処理を施し結合特定物質を回収する際の回収量が増加する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
光ビームを発生させる光源と、 前記光ビームに対して透明な誘電体ブロックと、 該誘電体ブロックの一面に形成される第1の薄膜層と、 該第1の薄膜層の表面上に配されて、試料中の特定物質と結合するセンシング物質と、 前記光ビームを前記誘電体ブロックに対して、該誘電体ブロックと前記第1の薄膜層との界面で全反射条件が得られる角度で入射させる光学系と、 前記界面で全反射した光ビームの強度を検出する光検出手段と、 該光検出手段の検出結果に基づいて全反射減衰の状態を測定する測定手段とを備えてなる全反射減衰を利用したセンサーにおいて、 前記誘電体ブロックの一面と異なる面に形成され、前記第1の薄膜層と略同一の化学特性を有する第2の薄膜層と、 該第2の薄膜層の表面上に配される前記センシング物質とをさらに備えたことを特徴とする全反射減衰を利用したセンサー。
IPC (4)：
G01N21/27 ,  G01N1/00 ,  G01N21/05 ,  G01N21/11
FI (4)：
G01N21/27 C ,  G01N1/00 101G ,  G01N21/05 ,  G01N21/11
F-Term (33)：
2G052AD46 ,  2G052CA04 ,  2G052CA12 ,  2G052GA12 ,  2G057AA02 ,  2G057AB04 ,  2G057AB07 ,  2G057AC01 ,  2G057BA05 ,  2G057BB06 ,  2G057BC07 ,  2G057EA06 ,  2G057GA06 ,  2G059AA01 ,  2G059BB04 ,  2G059BB12 ,  2G059CC16 ,  2G059DD12 ,  2G059EE02 ,  2G059EE05 ,  2G059EE09 ,  2G059FF04 ,  2G059FF08 ,  2G059FF09 ,  2G059GG01 ,  2G059GG04 ,  2G059JJ11 ,  2G059JJ13 ,  2G059JJ19 ,  2G059JJ20 ,  2G059JJ22 ,  2G059KK04 ,  2G059PP04
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (12)
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