磁気記憶装置及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002352784
Publication number (International publication number)：2003249630
Application date： Dec. 04, 2002
Publication date： Sep. 05, 2003
Summary：

【要約】【課題】誤書き込みを抑制するとともに、選択セルへの磁場を集中させる。【解決手段】半導体記憶装置は、第1の方向に延在する第1の配線13と、この第1の配線13の上方に配置された記憶素子18と、この記憶素子18上に、第1の方向と異なる第2の方向に延在する第2の配線20と、この第2の配線20の側面及び記憶素子18の側面に形成された磁気シールド層21とを具備する。

Claim (excerpt)：

第1の方向に延在する第1の配線と、前記第1の配線の上方に配置された記憶素子と、前記記憶素子上に配置され、前記第1の方向と異なる第2の方向に延在する第2の配線と、前記第2の配線の側面及び前記記憶素子の側面に形成された第1の磁気シールド層とを具備することを特徴とする磁気記憶装置。

IPC (2)：

H01L 27/105 , H01L 43/08

FI (2)：

H01L 43/08 Z , H01L 27/10 447

F-Term (5)：

5F083FZ10 , 5F083GA15 , 5F083NA08 , 5F083PR39 , 5F083PR40

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

特願平11-238377号公報

Cited by examiner (5)

磁気メモリ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-173394 Applicant：株式会社日立製作所
センス層における磁化の混乱を防ぐ構造要素を有する磁気メモリ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-018564 Applicant：ヒューレット・パッカード・カンパニー
磁気ランダム・アクセス・メモリおよびその製作方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-122085 Applicant：モトローラ・インコーポレイテッド

Show all

Return to Previous Page